C-112
用途：全方位地应对半导体封装、晶元BGA/CSP（PBGA/CABGA/LFBGA/SBGA/TABGA）/BSM/SMF等各种**烘烤工艺需求。特征：
温度范围
40～260℃
温度分布精度
±5℃
升温时间
50～175℃ 15分以内
外部尺寸
H1883×W1495×D825mm（突起部除く）
内槽尺寸
H500×W580×D650mm
电源规格
三相 220V/改造380V