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产品资料

硅雪崩光电二极管

硅雪崩光电二极管
  • 如果您对该产品感兴趣的话,可以
  • 产品名称:硅雪崩光电二极管
  • 产品型号:SERIES8
  • 产品展商: 德国First Sensor
  • 产品文档:无相关文档
简单介绍
探测器:硅雪崩光电二极管(APD) 硅雪崩光电二极管(APD)是高速、高敏,并且具有内部增益机制的高增益频宽光电二 极管。APD 在低光和快速响应时间的要求下,具有非常出色的测量效果。德国**传感器生产 的所有雪崩光电二极管拥有丰富的尺寸和封装型号,也包括多元素阵列。
产品描述
 Series 8 APD硅雪崩光电二极管  波长750-820nm,具有高速,低温度系数,高增益,高带宽的特点。

应用于:激光测距、激光扫描仪、光纤通讯等应用

系列8 APD雪崩光电二极管 

型号

有效面积

暗电流(nA)

击穿电压(V)

电容

上升时间

温度系数

噪声等效功率

芯片

封装

尺寸(mm)

面积(mm2)

@M=100

@ID = 2μA

M=100(pF)

@M=100(ps)

UBR (V/K)

(W/Hz1/2)

AD100-8

TO52S1

Ø0.100

0.00785

0.05

120-190

0.8

<180

典型值:0.45

3×10-15

AD230-8

TO52S1

Ø0.230

0.042

0.3

1.2

180

1×10-14

AD230-8

LCC6.1

AD500-8

TO52S1

Ø0.500

0.196

0.5-1

2.2

350

2×10-14

AD500-8

TO52S2

AD500-8

LCC6.1

AD800-8

TO5i

Ø0.800

0.50

2.0

5.0

700

4×10-14

AD1100-8

TO5i

Ø1.130

1.00

4.0

8.0

1000

8×10-14

AD1900-8

TO5i

Ø1.950

3.00

15.0

20.0

1400

1.5×10-13

AD2500-8

TO5i

Ø2.520

5.00

20.0

28.0

1500

3×10-13

AD3000-8

TO5i

Ø3.000

7.07

30.0

45.0

2000

4.5×10-13

AD5000-8

TO8i

Ø5.000

19.63

60.0

120.0

3000

9×10-13

 

 
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