系列8 APD雪崩光电二极管
型号
有效面积
暗电流(nA)
击穿电压(V)
电容
上升时间
温度系数
噪声等效功率
芯片
封装
尺寸(mm)
面积(mm2)
@M=100
@ID = 2μA
M=100(pF)
@M=100(ps)
UBR (V/K)
(W/Hz1/2)
AD100-8
TO52S1
Ø0.100
0.00785
0.05
120-190
0.8
<180
典型值:0.45
3×10-15
AD230-8
Ø0.230
0.042
0.3
1.2
180
1×10-14
LCC6.1
AD500-8
Ø0.500
0.196
0.5-1
2.2
350
2×10-14
TO52S2
AD800-8
TO5i
Ø0.800
0.50
2.0
5.0
700
4×10-14
AD1100-8
Ø1.130
1.00
4.0
8.0
1000
8×10-14
AD1900-8
Ø1.950
3.00
15.0
20.0
1400
1.5×10-13
AD2500-8
Ø2.520
5.00
28.0
1500
3×10-13
AD3000-8
Ø3.000
7.07
30.0
45.0
2000
4.5×10-13
AD5000-8
TO8i
Ø5.000
19.63
60.0
120.0
3000
9×10-13