压控晶振就是利用改变控制电压来实现对输出频率的调整,简称为VCO。压控振荡器内部电路是由变容二极管和石英晶体振荡器电路组成的。变容二极管是串联在频率控制回路当中,通过改变加载在变容二极管上的电压来调整石英振荡器的振荡频率,实现对输出频率的微调。压控晶振比普通SPXO晶振使用要灵活得多。因为它的输出频率可以实现微调,通过调整使输出频率达到*理想状态。由于电压控制脚是一个输入脚,很容易带入其他杂散信号,因此,在使用时要特别注意。压控晶振广泛应用在工业和电信领域。
压控晶振
SMD 14X9MM
VCXO
一、压控晶振 技术规格
指标参数
参数值
备注
频率范围
5-300MHZ
可定制
输出波形
Sine
方波
PECL
输出
输出幅度
0-7dBm
标准
标准
可定制
特性
输出负载
50Ω
15pF
/
谐波/占空比
-30dBc
45-55%
45-55%
杂散抑制
-70dBc
-70dBc
-70dBc
温度特性
±25ppm
@25℃
温度范围
-40 ﹢85 ℃
年老化率
±3 - ±5ppm
频率
相位噪声
稳定
@10Hz
≤-65dBc/Hz
性
@100Hz
≤-95dBc/Hz
@1KHz
≤-122dBc/Hz
@122.88MHz
@10KHz
≤-138dBc/Hz
@100KHz
≤-142dBc/Hz
频率
调节方式
电压调节
调节
压控电压范围
按照客户要求
@电压调节
频率调节范围
±50-±150ppm
可定制
线性度
±1%/±3%/±5%
Max
压控斜率
正斜率
电源
工作电压
3.3V / 5V
输入
工作电流
50mA Max
@122.88MHz
储存温度
-55 ﹢125 ℃
压控晶振
DIP 21X13MM
VCXO
一、压控晶振 技术规格
指标参数
参数值
备注
频率范围
5-300MHZ
可定制
输出波形
Sine
TTL
HCMOS
输出
输出幅度
0-7dBm
标准
标准
可定制
特性
输出负载
50Ω
15pF
15pF
谐波/占空比
-30dBc
45-55%
45-55%
杂散抑制
-70dBc
-70dBc
-70dBc
温度特性
±25ppm
@25℃
温度范围
-40 ﹢85 ℃
年老化率
±3 - ±5ppm
频率
相位噪声
稳定
@10Hz
≤-120dBc/Hz
性
@100Hz
≤-125dBc/Hz
@1KHz
≤-130dBc/Hz
@32.768MHz
@10KHz
≤-140dBc/Hz
@100KHz
≤-145dBc/Hz
频率
调节方式
电压调节
调节
压控电压范围
按照客户要求
@电压调节
频率调节范围
±50-±150ppm
可定制
线性度
±1%/±3%/±5%
Max
压控斜率
正斜率
电源
工作电压
3.3V / 5V
输入
工作电流
15mA Max
@32.768MHz
储存温度
-55 ﹢125 ℃
电气参数
1.频率 (MHz)
2.输出波形 (CMOS / SINE / TTL / LVDS)
3.输出电平及负载
4.工作温度范围 (℃)
5. 频率稳定度 (ppm)
6.压控电压范围
7. 频率调整度 (+/-ppm)
8.封装
9.工作电压 (Vdc)
10.输出电流 (mA)
11.频率误差 (+/-ppm)
12.老化率 (Per Year)
注意:压控电压范围是指加载在压控晶振压控VC脚的电压范围。压控电压一般通过可调电阻从外部稳压源获得稳定的调整电压。有些压控晶振有自带压控参考电压输出,这个参考电压更好。
产品详情
简单介绍:
压控晶振就是利用改变控制电压来实现对输出频率的调整,简称为VCO。压控晶振压控振荡器内部电路是由变容二极管和石英晶体振荡器电路组成的。变容二极管是串联在频率控制回路当中,通过改变加载在变容二极管上的电压来调整石英振荡器的振荡频率,实现对输出频率的微调。压控晶振比普通SPXO晶振使用要灵活得多。因为它的输出频率可以实现微调,通过调整使输出频率达到*理想状态。压控晶振,压控晶振,压控晶振,压控晶振.
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