硅辐射仪

性能：

稳定性：             <±2%/年

响应时间：           10us

余弦修正：           余弦修正到80°

工作温度：           -40—+65℃

温度相关：           0.15%/℃

相对湿度：           0—100%

**性：           　正常日光完全错误

*大±5%，典型±3%

灵敏度：             0.2KWm^-2/mV

线性：       　　　　直到3000Wm^-2*大偏移1%

并联电阻：           40.2—90.2Ω

光谱范围：           400—1100nm

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