新近的行业发展说明，在测量半导体的结构元件时，由于结构元件的不断减小，使测量和污染物控制的关系越来越紧密。 Therma-Wave有限公司已经开始大量生产一种薄膜式的关键尺寸测量工具，它将公司分子污染物清洁系统进行了改良，并做成了内置式的。这个具有解吸作用的装置，能**晶片表面聚集的分子污染物，从而可以对薄膜进行测量。 KLA-Tencor公司生产的光学薄膜式测量产品中有解吸作用的模块。据KLA-Tencor公司的技术专家Arun Srivatsa介绍，这个模块通常用来清洁、测量目标，并在使用划线器划线的测量目标上进行可选测量。他补充说明到，这项技术是将晶片表面的一小块区域加热，从而使得有机物蒸发，这在65纳米及以下的生产工艺中，测量栅氧化层和其他超薄薄膜时具有很高的利用价值。 这些薄膜的厚度小于50埃（牛 5纳米。KLA-Tencor公司的研究表明：栅氧化层形成后的两个小时内，空气分子污染物的聚集可能超过0.5埃。这足以导致薄膜光学测量的失败，因为十分之一埃的误差就将导致测量工具显示错误的结论。 所以，量具公司必须引进一种叫“使用点”的污染物清洁控制。只有先除去污染物后进行测量，才能保证得到正确的结果。 济近，Xidex公司表示他的纳米碳管将应用在半导体测量工具上。该行业想使用纳米碳管制造扫描式探针显微镜的**。这些**像微型探针一样运动，可以描绘出分
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