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人体放电模式

人体放电模式(Human-Body Model, HBM)产生的ESD是指因人体在地上走动磨擦或其他因素在人体上已累积了静电，当此人去碰触到IC时，人体上的静电便会经由电子元器件而进入电子元器件内，再经由电子元器件放电到地去，如图1(a)所示。此放电的过程会在短到几百毫微秒(ns)的时间内产生数安培的瞬间放电电流，此电流会把电子元器件内的元件烧毁。不同HBM静电电压相对产生的瞬间放电电流与时间的关系见于图1(b)。对一般商用IC的2-KV ESD放电电压而言，其瞬间放电电流的尖峰值大约是1.33 安培。

图1(a)HBM的ESD发生情形

图1(b)在不同HBM静电电压下，其静电放电之电流与时间的关系

有关于HBM的ESD已有工业测试的标准，为现今各国用来判断IC之ESD可靠度的重要依据。图2显示此工业标准 (MIL-STD-883Cmethod 3015.7)的等效电路图，其中人体的等效电容定为100pF，人体的等效放电电阻定为1.5K Ω。另\外在国际电子工业标准(EIA/JEDEC STANDARD)中，亦对此人体放电模式订定测试规范(EIA/JESD22-A114-A)，详细情形请参阅该工业标准。

表1人体放电模式(HBM)的工业标准测试等效电路及其耐压能力等级分类

CLASSIFICATION	Sensitivity
Class1	0 to 1,999Volts
Class2	2,000 to3,999 Volts
Class3	4,000 to15,999 Volts

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