单微通道板（MCP）分辨率>60线/毫米，高调制对比度，高达8000发光增益
双MCP堆栈光子计数灵敏度高达300,000发光增益
多碱光电阴极，具有等效背景照度（EBI），噪音降低到3 x 10¯³p/s，可用于紫外和蓝光响应的检测
GaAsP和GaAs光电阴极分别为可见光和红���光响应的选择, EBI噪音每秒计数为6 x 10¯²p/s(制冷选择 降低运转噪音方案）
标准选通选项：100ns 30 kHz的重复率
超快选通时间，通过使用特殊的下部底层涂料可下降到3ns，MHz的重复率是使用专用脉冲发生器/门控电源供应器，可 调闸门时间/延迟纳秒步骤实现
中子晶体校准
背散射中子衍射
单晶中子衍射
中子劳厄成像
中子成像
小中子角衍射
中子飞行时间衍射
劳厄中子衍射
主要参数：
ICCD型
全景ICCD相机
像 素
1872（H）×1252（V）CCD阵列
7488（H）×2505（V）CCD阵列
输入像素尺寸
177 x 177µm
LIF闪烁优化热中子的量子效率
fps
3fps全分辨率@20MHz
0.7fps在全分辨率@10MHz
读出噪声
6-9 e@10MHz
全阱容量
13000 e@分级1x1
13000 e
暗电流
0.01 e/pixel/second
0.05 e/pixel/fps@全分辨率
芯片分级
Binning*大可达8x8
输出字节
12-bit/16-bit动态扩展并且可达＞200000 e等效满阱容量
输出接口
火线/Camer Link/千兆以太网
同步/控制
TTL脉冲
360°几何成像