可制冷传感器有着45和70摄氏度的温度增量
10MHz的扫描频率
动态范围:>1000:1
低暗电流小于0.4pA
选通时间从微秒到秒
像素可操作性:>99.5%
光谱范围从0.9到1.7微米
风冷/水冷
太阳能电池检查
裸露的太阳能电池硅片检测
半导体检测
天文学
熔炉温度检测
工业热成像
光谱成像
皮肤病学成像
低分辨率SWIR
高分辨率SWIR
阵列规格
320(h)×256(v)砷化铟镓阵列
640(h)×512(v)砷化铟镓阵列
输入像素尺寸
30×30µm
25×25µm
输入尺寸
9.6×7.68mm
16×12.8mm
fps
全分辨率下25fps@10MHz
读出噪声
高增益模式下插值降噪为120-150e—@10MHz;在低增益模式下为380 e—
高增益模式下插值降噪为120-150e—@10MHz;��低增益模式下为380 e—
满阱容量
在高增益模式下为170,000e—;在低增益模式下为3,500,000 e—
在高增益模式下为 39,000e—;在低增益模式下为1,900,000 e—
输出字节
16-bit 动态扩展范围
响应度
低增益模式下:0.7 µV/e—
高增益模式下:13.3µV/e—
低增益模式下:1.2 µV/e—
高增益模式下:31µV/e—
16位动态扩展范围
峰值QE
>70%@1100nm,>65%从1000—1600nm
>70%@1100nm,>65%@1000—1600nm
SWIR1.7
SWIR LR2.2扩展型
30×30微米
高增益模式下插值降噪为100-130e—@10MHz;在低增益模式下为350 e—
在高增益模式下为150,000e—;在低增益模式下为3,500,000 e—
在高增益模式下为170,000e—;在低增益模式下为3,500,000 e—
>80%@1670nm,>70%从1400—2100nm