GTEM室射频电磁场辐射抗扰度测试系统结构框图
电场强度相对于射频输入功率的表达式为 E＝V/h＝(PR)1/2/h 在实际选用放大器时，还应当考虑电缆和其他损耗 E＝V/h＝D(PR)1/2/h 这里，E为电场强度（V/m） P为输入功率（W） R为阻抗（50Ω） h为导体高度（底板到芯板的高度） V为输入电压 D为系数，电缆等损耗为1dB时，D＝0.891 3dB时，D＝0.708 若P＝4W，h＝1m，D＝0.708，则E＝10V/m 可见，用GTEM室做EMS测试时得到的场强比天线法采用同样大小的放大器时得到的场强要大得多，因此这个系统有较高的性能价格比，为企业开展小型产品EMS测试的优选方案。
P为输入功率（W）
R为阻抗（50Ω）
h为导体高度（底板到芯板的高度）
V为输入电压
D为系数，电缆等损耗为1dB时，D＝0.891
3dB时，D＝0.708
若P＝4W，h＝1m，D＝0.708，则E＝10V/m
可见，用GTEM室做EMS测试时得到的场强比天线法采用同样大小的放大器时得到的场强要大得多，因此这个系统有较高的性能价格比，为企业开展小型产品EMS测试的优选方案。