依托BM14D-C2-60t-20B称重传感器质量求生存,靠市场求发展,BM14D-C2-60t-20B**经销【广州洋奕电子】代理的BM14D-C2-60t-20B称重传感器,不论是国内市场还是国外市场,*终的目的只有一个,带动中国市场经济繁荣,还用户一个放心。详情可联系【广州★洋奕】()
S型梁式称重传感器:
H3-C3-25kg-3B 0.025/0.05/0.1/0.15/0.2/0.25/0.3/0.5/0.6/7.5/10/15/20/30t
H3F-C3-1-6t-6B 0.1/0.25/0.5/0.75/1/1.5/2/2.5/5t
B3G-C3-50kg-6B 0.05/0.1/0.25/0.5/1/2.5/5/7.5/10t
H3G-c3-100kg-3B 0.05/0.1/0.2/0.25/0.5/1/2.5/5/7.5t
BM3-C3-500kg-4B 0.5/1/2/3/4/5/6/7.5t
单点式称重传感器L6B、L6D、L6E、L6E3、L6F、L6G、L6J、L6H5:
L6N-C3-30kg L6C-C3D-5KG-2B L6D-C3D-20KG-0.8B L6D-C3-20kg-0.4B L6D-C3-20kg L6F-C3-250KG-3B6 L6F-C3-250KG-3B6 B3G-C3-100KG-6B H3F-C3-2.0t-6T H3-C3-50KG-3B-C H8C-C3-2.0T-4B1 H8C-C3-2.0T-4B L6E3-C3-100KG-3G HPS-12KG FD-3-24V010
H6E3 20/30/50/75/100/150/200/250/300 KG
B6G5 0.05/0.1/0.15/0.2/0.25/0.3/0.4/0.5/0.6/0.75/1/1.5/2 KG
B6E3 20/30/50/75/100/150/200/250/300 KG
L6J1 0.3/0.4/0.5/0.6/1/3 KG
L6L 5/8/10/15/20/30/50/80/100/150/200 KG
L6C 3,5,8,20,30, 50kg
BM11/HM11波纹管称重传感器
BM11-C3-20kg-3B-SC波纹管 BM11-C3-30kg-3B-SC称重传感器,
BM11-C3-50kg-3B-SC波纹管传感器, BM11-C3-100kg-3B-SC波纹管称重传感器,
BM11-C3-200kg-3B-SC称重传感器, BM11-C3-350kg-3B-SC波纹管传感器,
粘贴型压阻式力敏传感器由四只半导体应变片接成全桥形式,用粘合剂贴在弹性元件上构成,它具有很高的应变灵敏系数,一般为20~200,因此输出高,输出灵敏度一般为15~0mV/V,但易发生零点漂移与蠕变,同时还存在半导体应变片和弹性元件热膨胀所带来的温度漂移等影响。扩散型压阻式力敏传感器大都采用单晶硅和半导体平面工艺制成的。一般以N 型硅为衬底,采用氧化、扩散等工艺将硼原子沿给定的晶向扩散到n 型硅衬底材料中,形成P 型扩散层。 结果硼扩散区便形成应变电阻,并用衬底形成一个整体,当它受到压力作用时,应变电阻发生变化,从而使输出发生变化。 压阻式力敏传感器有灵敏度高、精度高、体积小、重量轻、工作频率高、结构简单、工作可靠、寿命长等特点。 电容式力敏传感器近来得到了迅速发展,这种传感器的核心部分是对压力敏感的电容器。力敏电容器的电容量是由电极面积和两个电极间的距离决定。 当硅膜片两边存在压力差时,硅膜片产生形变,电容器极板间的间距发生变化,从而引起电容量的变化。这样,电容变化量与压差有关,因此,就可作为力敏传感器。它与压阻式力敏传感器相比,具有灵敏度高、温度稳定性好、压力量程大等特点。表5-1 是按工作原理对力敏传感器进行分类,本章主要介绍半导体应变片构成的力敏传感器的应用技术。
粘贴型压阻式力敏传感器由四只半导体应变片接成全桥形式,用粘合剂贴在弹性元件上构成,它具有很高的应变灵敏系数,一般为20~200,因此输出高,输出灵敏度一般为15~0mV/V,但易发生零点漂移与蠕变,同时还存在半导体应变片和弹性元件热膨胀所带来的温度漂移等影响。扩散型压阻式力敏传感器大都采用单晶硅和半导体平面工艺制成的。一般以N 型硅为衬底,采用氧化、扩散等工艺将硼原子沿给定的晶向扩散到n 型硅衬底材料中,形成P 型扩散层。
结果硼扩散区便形成应变电阻,并用衬底形成一个整体,当它受到压力作用时,应变电阻发生变化,从而使输出发生变化。
压阻式力敏传感器有灵敏度高、精度高、体积小、重量轻、工作频率高、结构简单、工作可靠、寿命长等特点。
电容式力敏传感器近来得到了迅速发展,这种传感器的核心部分是对压力敏感的电容器。力敏电容器的电容量是由电极面积和两个电极间的距离决定。
当硅膜片两边存在压力差时,硅膜片产生形变,电容器极板间的间距发生变化,从而引起电容量的变化。这样,电容变化量与压差有关,因此,就可作为力敏传感器。它与压阻式力敏传感器相比,具有灵敏度高、温度稳定性好、压力量程大等特点。表5-1 是按工作原理对力敏传感器进行分类,本章主要介绍半导体应变片构成的力敏传感器的应用技术。