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产品资料

SI APD雪崩光电探测器

SI APD雪崩光电探测器
  • 如果您对该产品感兴趣的话,可以
  • 产品名称:SI APD雪崩光电探测器
  • 产品型号:AD100-8 TO
  • 产品展商:筱晓光子
  • 产品文档:无相关文档
简单介绍
产品特征: •APD具有0.008mm2的有效面积 SI APD雪崩光电探测器 •100μm直径有效面积 SI APD雪崩光电探测器•低偏置电压时的高增益 •快速上升时间,低电容 •*佳增益:50-60
产品描述

圆形有源区APD芯片直径为100μm。 该装置为透明玻璃窗的密封TO52包装。其中根据定制要求,两种TO52类型可供选择。

 

产品特征:

APD具有0.008mm2的有效面积

100μm直径有效面积

•低偏置电压时的高增益

•快速上升时间,低电容

•*佳增益:50-60

 

产品应用:

•激光测距仪

•高速光度测定

•高速光通信

•医用器材

 

***大额定值

符号

参数

*小值

*大值

单位

TSTG

Storage temp

-55

125

TOP

Operating temp

-40

100

Mmax

Gain IPO=1 nA

-200

 

 

IPEAK

Peak DC current

 

0.25

mA

 

 

光电参数@23℃:

符号

特性

测试条件

*小值

典型值

*大值

单位

 

有效区域

 

直径 100

um

 

有效区域

 

0.00785

mm2

ID

暗电流

M=100

 

0.05

0.1

nA

C

电容

M=100

 

0.5

 

pF

 

响应

M=100λ=800nm

45

50

 

A/W

tR

上升时间

M=100λ=905nmRL=50Ώ

 

 

0.18

ns

 

截止频率

-3dB

2

 

 

GHz

VBR

击穿电压

IR=2uA

80

 

160

v

 

温度系数

VBR随时间变化

0.35

0.45

0.55

V/K

 

过大噪声因素

M=100

 

2.2

 

 

 

过大噪声指数

M=100

 

0.2

 

 

 

光谱响应图(M=100):

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