产品简介
烘箱主要用户半导体光刻工艺中硅片表面改性;增加光刻胶对硅片的黏附性。
技术参数
基片尺寸:支持2、3、4、6、8英寸基片及破片
温度范围:RT~160℃
温度精度:+/-1℃@100℃
加热时间:30min @RT~160℃
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