随着晶体管尺寸的不断微缩,晶圆制造工艺日益复杂,对半导体湿法清洗技术的要求也越来越高。
清洗工艺是贯穿整个半导体制造的重要环节,是影响半导体器件性能以及良率的重要因素之一。在芯片制造过程中,任何的沾污都可能影响半导体器件的性能,甚至引起失效。因此,几乎在芯片制造的每一道工序前后,都需要进行清洗工艺,去除表面的污染物,保证晶圆表面的洁净度,尤其在抛光、刻蚀等工艺后,晶圆表面会附着一些颗粒、金属、有机物、自然氧化层等杂质
但清洗对象千变万化,可以遇到的材质种类也非常复杂,我们无法用一两种清洁剂满足所有材质的清洗**性,则清洁剂的组分设计以及产品结构,就必须充分考虑不同类型的设备所包含材料的材质特性,保证清洁剂在正确使用时,对所清洗对象的材质没有损伤。
清洗剂的浓度与清洗效果有很大的关系,一般随着浓度的增加,去污能力也相应的增强,但达到一定浓度后,去污能力不再明显提高。一般浓度控制在3%-5%为宜。
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