氮化镓、碳化硅参数测试仪系统

带有 KTE 7 软件的吉时利 S530 系列参数测试系统：氮化镓、碳化硅参数测试仪提供高速、完全灵活的配置，能够随着新应用的出现和需求变化而不断发展。S530 可进行高达 200 V 的测试，而 S530-HV 可以在任何引脚上进行高达 1100 V 的测试，与竞争解决方案相比，吞吐量提高了 50%。KTE 7 的新增功能是促成直接对接探测器和原有探头卡重新使用的可选系统测试头，支持汽车标准 IATF-16949 要求的系统级 ISO-17025 引脚校准，以及从原有的 S600 和 S400 系统进行迁移的*简单、*顺畅的路径，具有完整的数据关联性并提高了速度。

540 氮化镓、碳化硅参数测试系统是一个全自动化的 48 引脚参数测试系统，适用于高达 3kV 的功率半导体器件和结构的晶片级测试。完全集成式 S540 已针对包括碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 在内的*新复合功率半导体材料进行优化，可以在单次测试触摸中执行所有高电压、低电压和电容测试。

S500 氮化镓、碳化硅参数测试仪、集成式测试系统是高度可配置的、基于仪器的系统，适用于器件、晶片或暗盒级半导体检定。S500 集成式测试系统基于我们经过验证的仪器，提供**的测量功能和系统灵活性，并且根据您的需求可进行扩展。独有的测量能力结合强大而灵活的自动化检定套件 (ACS) 软件，提供市场上其他同类系统无法提供的广泛应用和功能。 

S530 功能

• 灵活的探测器接口选项，包括测试头，支持原有吉时利和 Keysight 装置
• 行业标准的 KTE 软件环境
• 触摸一次探头即可完成高压和低压参数的测试
• 通过全新系统参考单元 (SRU) 进行全自动系统级校准符合*新质量标准
• KTE 7 中的运行状况检查软件工具*大限度地延长系统正常运行时间和提高数据完整性
• 内置的瞬态过电压和/或过电流事件保护可*大程度地减少代价高昂的系统停机或对晶片造成损坏
• 符合 ISO-17025 校准要求并支持 IATF-16949 合规性
• 提供 SECS/GEM 与 300 毫米晶圆厂的集成

S540 功能

• 在单次探头触摸中自动在多达 48 个引脚上执行所有晶片级参数测试，包括高电压击穿、电容和低电压测量，而无需更改电缆或探头卡基础设施
• 在*高达 3kV 的条件下执行晶体管电容测量，如 Ciss、Coss 和 Crss，而无需手动配置测试引脚
• 在高速、多引脚、全自动测试环境中实现低电平测量性能
• 基于 Linux 的 Keithley 测试环境 (KTE) 系统软件支持轻松进行测试开发和快速执行
• 非常适合于过程集成、过程控制监控和生产芯片分类中的全自动或半自动应用
• 通过*大程度减少测试时间、测试设置时间和占地面积，降低拥有成本，同时实现实验室级测量性能

S500 功能

• 全量程源测量单元 (SMU) 仪器技术规格，包括 subfemtoamp 测量，确保在几乎任何设备上都能执行广泛的测量。
• 适用于内存检定、电荷泵、单脉冲 PIV（电荷陷阱分析）和 PIV 扫描（自加热回避）的脉冲生成和超快 I-V。
• 利用支持 Keithley 系统的可扩展 SMU 仪器，提供低或高通道数系统，包括并行测试。
• 适用于测试功率 MOSFET 和显示驱动器等测试器件的高电压、电流和功率源测量仪器。
• 开关、探头卡和布线保证系统完全适用于您的 DUT。

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