这里Me可以是cu、Mg、Be等，其电阻率p=5×10”一2×10’Q·cm。这类防静电台垫是较难处理的热稳定性很高的多晶材料。含二茂铁高聚物也是一种人们较熟悉的含金属高聚物，但含二茂铁高聚物本身却是一种绝缘体。但若用防静电台垫受体使二茂铁高聚物中的金属部分氧化以形成混合价态来提高导电率是可行的。例如将二茂铁、聚乙炔基二茂铁用二氯二氰代苯醌(DDQ)或对氯苯醌(p—CA)进行氧化，电导率可增加7个数量级。 对电荷转移型高聚物，总的来说可通过控制掺杂剂的量来任意调节其导电率，是此类材料的一大优点。但从实用性来说，必须克服有机化合物的不稳定性，提高防静电周转箱的耐久性是今后研究的努力方向。 所谓一维导体是指在某一特定方向上电导率特别高的一类有机物。研究这类防静电周转箱的目的是开发将来总要消耗殆尽的金属矿藏一南的代用品及发展新的功能材料。而对一维导体的研究在低维物质的研究中开辟了一个新的、特殊的领域。防静电台垫是指那些在某一特定方向上7『电子共轭特别显著的物质。也包括那些电子的波函数(例如在某一特定方向上d电子波函数)重叠特别大时也可成为一维导体的物质。由7r电子所形成的一维体系可分为两类：一类是在高分子链方向形成共轭双键链，如近来发现的(sN)。防静电台垫在分子链方向具有金属导电特性，室温时其电导率为2×10，S／cm其可能的结构式是：另一类是在某种平面分子所组成的分子晶体中分子面相互堆砌成柱状结构，沿分子柱的方向7r电子的重叠积分*大。前者的导电方向是高分子链方向，而后者则是分子柱的堆砌方向。 作为导电防静电周转箱的典型低维物质有聚硫氮、聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯等。属于电荷转移防静电周转箱类的有TTF--TCNQ、(TMTSF)，PF。(双四甲基四硒富瓦烯六氟磷酸盐)、(TMTSF)：C10。(双四甲基四硒富瓦烯高氯酸盐)、KCP[K：Pt(cN)。·Br0，．2．3H。0]、酞菁类等。低维物质由于其低维性而显示一系列独特的现象，这些现象对导电也有很大影响。当同时考虑电子与晶格的能量时，一维电子体系会发生金属绝缘体相变(Peierls相变)。当原子在一维方向排列，每个原子提供一个电子时，就有中原子等问距排列和中原子位置发生变化，晶格周期为原有的两倍即2a等两种情况。当结构为(。)时，F。nni面的波矢后r。rr／20~处，此时能带是半填满的，因而是金属。当结构曹(b)时，Bri’‘。uin区边缘从rr／oe移到rr／20~处，正好在Fe瑚i面处产生能隙，因而变成绝缘体。哪一种结构能量上更为稳定呢?从电子能量来说，结构比较有利。但由于发生了晶格畸变，因此还必须考虑晶格能量的损失。很明显，在高温区晶格能量的贡献较大，结构(a)比较稳定。而在低温区电子能量贡献较大，则结构比较稳定。因此当温度变化到r。时出现金属一绝缘体相变，称之为Peier’ls相变。以南，表示Fe咖i波矢，则I~eier—ls相变的出现是由于发生了以7r几，为周期的畸变。这种相变只有在一维体系中才*容易发生。当有二维或三维品格时，Fermi面的结构很复杂，难以出现由于晶格畸变所伴随的电子能量增加。在发生Peier—ls相变的温度以上时，作为其前兆现象即已存在晶格畸变与电荷密度相结合的混合波，这种混合波是电子的集体状态，称为电荷密度波(cDw)。当cDw的振动频率(波长)与品格常数、原子间距成简单整数比的关系时称公度(Commensurate)，非简单整数比时称非公度(Incommensurate)。公度cDw被晶格势场所束缚不能移动，而非公度cDw可在晶格内做自由并进运动，由于没有电阻按理应能实现极高的导电性，但实际上由于晶格有杂质存在，会产生所谓钉扎现象而使c。DW的运动受阻，从而在多数情况下对电导的贡献并不大。如果由于外加电场等而发生脱钉扎，则对电导会有贡献。这是出现非线性伏安特性的原因之一。