技术核心-直流高压发生器可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极(G)。1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动(R×1挡)，可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G极(对双向可控硅)。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，大直流高压发生器则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。万用表测直流时
一、进行机械调零。二、选择合适的量程档位。三、使用万用表电流挡测量电流时，应将成用表串联在被子测电路中，因为只有串连接才奶使流过电流 表的电流与被测支路电流相同。测量时，应断开被测支路，将万用表红、黑表笔串接在被子断开的两点之间。特别应注意电流抄录能并联接在被子测电路中，这样做是很危险的，极易使万表烧毁。四、注意被测电量极性。五、正确使用刻度和读。六、当选取用直流电流的2.5A挡时，万用表红表笔应插在2.5A测量插孔内，量程开关可以置于直流电流挡的任意量程上。七、如果被子测的直流电流大于2.5A，则可将2.5A挡扩展为5A挡 。方法很简单，使用者可以在“2.5A”插孔和黑表笔插孔之间接入一支0.24欧姆的电阻 ，这样该挡位就变成了5A电流挡了。接入的0.24A电阻应选取用2W以上的线绕电阻 ，如果功率太小会使之烧毁。直流高压发生器磁感应强度与磁场强度的概念一直以来都比较混乱，这是因为历史的原因。1900年，国际电学家大会赞同美国电气工程师协会(AIEE)的提案，决定 CGSM制磁场强度的单位名称为高斯，这实际上是一场误会。AIEE原来的提案是把高斯作为磁通密度B的单位，由于翻译成法文时误译为磁场强度，造成了混淆。直流高压发生器的欧姆定律当时的CGSM制和高斯单位制中真空磁导率是无量纲的纯数1，所以，真空中的B和H没有什么区别，致使一度B和H都用同一个单位——高斯。2、直流电阻测量：可测量变压器内部导线和引线的焊接质量，并联支路连接是否正确，有无层间短路或内部断线，分接开关，套管与引线的接触是否良好等。3、测量方法：有直流电阻测试仪可用直流电阻测试仪测量，可直接读数，准确度高，无电桥可用电压降法，电压降法测量直流电阻的接线a)测量小电阻 b)测量大电阻1-被测线圈 2-刀闸 3-蓄电池 4-电压表 5-电流表直流电阻计算公式：式中：U-电压表的读数(mv) I-电流表的读数(A)带有分接开关的变压器，直流高压发生器在交接或大修时，应在所有分接头位置上测量。三相变压器有中点因出线时，应测量各相线图的电阻，无中点引出线时，可测量线电阻。测量时非被测试线图均应开路，不能短接。测量时必须等待电流稳定后再读数，应注意人身**。二、接地电阻测试原理及方法： 测试接地装置的接地阻抗时电流极要布置的尽量远，通常电流极与被试接地装置边缘的距离dcG应为被试接地装置*大对角线长度D的4～5倍（平行布线法），在土壤电阻率均匀的地区可取2倍及以上（三角形布线法），电压引线长度为电流引线长度0.618倍（平线布线法）直流高压发生器或等于电流线（三角形布线法）。 1、电位降法电位降法测试接地装置的接地阻抗是按图1布置测试回路，且符合测试回路的布置的要求。1.渗透及渗透压 渗透现象在自然界是常见的,比如将一根黄瓜放入盐水中,黄瓜就会因失水而变小。电容式直流高压发生器黄瓜中的水分子进入盐水溶液的过程就是渗透过程。如下图所示,如果用一个只有水分子才能透过的薄膜将一个水池隔断成两部分,在隔膜两边分别注入纯水和盐水到同一高度。过一段时间就可以发现纯水液面降低了，而盐水的液面升高了。我们把水分子透过这个隔膜迁移到盐水中的现象叫做渗透现象。盐水液面升高不是无止境的，到了一定高度就会达到一个平衡点。这时隔膜两端液面差所代表的压力被称为渗透压。渗透压的大小与盐水的浓度直接相关。渗透现象在自然界是常见的,比如将一根黄瓜放入盐水中,黄瓜就会因失水而变小。黄瓜中的水分子进入盐水溶液的过程就是渗透过程。如下图所示,如果用一个只有水分子才能透过的薄膜将一个水池隔断成两部分,在隔膜两边分别注入纯水和盐水到同一高度。直流高压发生器过一段时间就可以发现纯水液面降低了，而盐水的液面升高了。我们把水分子透过这个隔膜迁移到盐水中的现象叫做渗透现象。盐水液面升高不是无止境的，到了一定高度就会达到一个平衡点。这时隔膜两端液面差所代表的压力被称为渗透压。渗透压的大小与盐水的浓度直接相关。