双沟道N-MOSFET MEM2318FG 系列
MEM2318FG产品简介：
MEM2318FG 系列 双N 沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导 通电阻。 MEM2318FG 系列适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
MEM2318FG的特点：
1、 20V/6A RDS(ON) =18mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A RDS(ON) =19mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A 2、超大密度单元、极小的RDS(ON)）
3、ESD 保护：3000V
MEM2318FG的封装: TSSOP8
MEM2318FG典型应用： 1、笔记本电池管理 2、便携式设备 3、电池电源系统 4、DC/DC 转换 5、负载开关 6、LCD 显示适配器