MEM2301M3G 上海集驰电子科技有限公司

MEM2301M3G

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产品名称：MEM2301M3G
产品型号：MEM2301M3G
产品展商：ME

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简单介绍

MEM2301M3G 是P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.MEM2301M3G 适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。

产品描述

P 沟道MOSFET MEM2301M3G 系列

MEM2301M3G 系列简单介绍：

MEM2301M3G 是P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.MEM2301适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。

MEM2301M3G 的特点:

● -20V/-2.8A

● RDS(ON) =93mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-2.8A

● RDS(ON) =113mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2A

● 超大密度单元、极小的RDS(ON)）

● 超小封装：SOT23

MEM2301M3G 的应用:

● 电源管理

● 负载开关

● 电池保护

MEM2301M3G 资料下载：MEM2301M3G系列-C1.0.pdf

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