P-Channel MOSFET MEM2303M3
MEM2303M3系列P 沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。
MEM2303M3产品特性:
1、 -30V/-4.2A 2、 RDS(ON) =55mΩ@ VGS=-10V,ID=-4.2A RDS(ON) =62mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A RDS(ON) =72mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2.5A 3、 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
MEM2303M3的封装: SOT23-3L
MEM2303M3的典型应用:
电源管理; 负载开关; 电池保护。
MEM2303相关产品:MEM2303XG