P-Channel MOSFET MEM2303XG
MEM2303XG系列P 沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。
MEM2303XG产品特性：
1、 -30V/-4.2A 2、 RDS(ON) =55mΩ@ VGS=-10V,ID=-4.2A RDS(ON) =62mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A RDS(ON) =72mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2.5A 3、 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
MEM2303XG的封装: SOT23-3L
MEM2303XG的典型应用：
MEM2303XG 系列适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路、负载开关、电池保护。这种低损耗可采用小尺寸封装
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