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技术文章

GMR技术

1988年,法国巴黎大学Fert研究小组在纳米结构的磁性多层膜中,发现膜电阻随外加磁场发生巨大变化的现象,较传统的磁各向异性磁电阻(AMR)大一个数量级以上,称之为巨磁电阻(GMR)效应。其物理机制与传导电子自旋散射相关。

 

    由于GMR效应潜在的巨大实用价值,激起了世界范围的研究热潮。如今不仅GMR效应庞磁电阻(CMR)、隧道结磁电阻(TMR)、巨磁阻抗(GMI)等各种磁效应的研究都十分踊跃,并逐步在实用化方面取得一些成就。

 

    伴随以上效应的发现和广泛研究,导致了一门新学科的产生,即磁电子学。该学科目前已有较多的研究领域,仅就与GMR效应相关的内容而言,即有OMR(正常磁电阻)、PMR(顺行磁电阻)、GMR(巨磁电阻)、CMR(庞磁电阻)、TMR(隧道结效应磁电阻)等,以及与电感、阻抗相关的GMI(巨磁阻抗)效应,内容十分丰富,性能特点十分突出。人们期待磁电子学将成为微电子学的取代者。

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