我们掌握的巨磁电阻传感器芯片设计、制造技术处于国际先进水平。2002年10月，巨磁电阻传感器芯片生产项目获得国家发改委作为新型电子元器件成果推广示范基地立项批复。2003年2月，中国电子元器件行业协会任命授予我公司为磁敏专业委员会主任单位。2004年10月我公司与清华大学微电子学研究所合作的GMR磁场传感器芯片集成化项目获得国家863计划的支持。

    为了长远发展,公司决定在深圳投资建设国内**条巨磁电阻（GMR）芯片生产线.投产后年产GMR传感器1200万只，年产值达到人民币2亿元。巨磁电阻（GMR）传感器芯片项目的确立将填补我国在GMR实际应用领域的空白，标志着我国在磁性薄膜集成领域迈出重要的一步，同时为一门新型学科---磁电子学（于1995年提出）的实际应用奠定坚实的基础。除GMR传感器系列产品以外，还将开发生产GMR磁性编码器、GMR随机读取存储器、薄膜变压器、薄膜电感等磁性薄膜集成器件。

    深圳市华夏磁电子技术开发有限公司的宗旨是：“以人为本，从我做起，实现科技成果转化为生产力；从现在做起，实现磁性薄膜半导体集成的国产化.”深圳市华夏磁电子全体同仁真诚感谢社会各界的帮助、支持、关怀;亦真诚期待有志之士加盟,共图大业！