3.2 测试内容: 测试内容见下表:
3.2 测试内容:
测试内容见下表:
序 号
测 试 参 数
单 位
误 差
1
失调电压 Vio
mV
<5%
2
失调电流 Iio
nA
3
偏置电流 Iib
4
静态功耗 Pd
mW
5
开环增益 Avd
db
6
共模抑制比 Kcmr
7
输入电阻 Rid
KΩ
<10%
8
输出电阻 Ros
Ω
9
增益带宽积 Gbw
KH
10
电源电压抑制比 Ksvr
11
输出电压峰--峰值 Vopp
V
12
压摆率 Sr
V/us
3.3 测试内容说明
·静态工耗是在测试电压为± 8V下测得(个别特殊比较器在+12V/-6V下测
得)。
·对于自适应测试,比较误差小于5%
·失调电压测量范围:100uV─100mV,
Vos 超过 100mV 时, 认为功能失效;
|Vos| 在2mV─100mV之间,相对误差<3%;
|Vos| 在0.1─2mV之间,相对误差<6%失调电流。
·偏置电流测量范围: Ios,Ib >10nA时 相对误差<3%;
Ios,Ib<10nA相对误差<8%;
Ios;Ib<0.5nA,相对误差较大。
·静态功耗测量范围:0.3─180mW、Pd>10mW,相对误差 <3%
·输出电阻测量范围:25─2.5k,分辨率为5Ω
·输入电阻测量范围:20KΩ─15MΩ,分辨率KΩ
·输入电阻高于15M的芯片不测此项参数,若“错敲”键入型号,如测LF347
而键入“342”(LM324),所测的输入电阻是不真实的。
·压摆率为扩充测试项。