深圳市科晶智达科技有限公司
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1600~2400℃管式炉
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产品简单介绍
立式高温真空气氛炉 1700℃
立式GSL1700X真空管式高温炉以硅钼棒为发热元件,额定温度1600℃,采用B型双铂铑热电偶测温和708P温控仪自动控温,具有较高的控温精度(±1℃)。此外该炉具有真空装置,可在多种气氛下工作,大大提高了其使用范围。该炉具有使用温度高、高精度控温、操作简单、维修方便等优点,可广泛用于冶金、机械、轻工、商检、高等院校及科研部门。
微型2400℃真空管式炉
GSL-2000X-25是一种超高温真空惰性气体炉,用于*高温度达2400℃材料的研究。这种紧凑的真空/惰性气体炉使用的加热元件为低功耗高温特殊钨线圈。温度控制采用高精度控温仪8段程序控温使用C型热电偶作为检测元件。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定(含采购商ISO14000环境体系要求),不会造成环境污染; 该产品符合含采购商OHSMS18000职业**健康管理体系标准
1900℃微型高压炉
HPT-1900X-25 是一款*高温度1900℃、压力可达2500 PSI (12.868Mpa)的超高温高压( 惰性气体) 管式炉,腔体直径25.4 mm x 长度 69.85mm。 该设备采用特殊的钨线圈作为加热元件以达到低耗能和高温度的目的。高精度模糊式PID温度控制器,8段可编程温度控制,C型热偶作为检测元件。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定
1800℃高温真空气氛管式炉
GSL-1800X是一款通过CE认证的高温管式炉,其内膛中嵌有ZrO2的内衬,加热元件采用Kanthal Super-1900硅钼棒,所以使得仪器*高温度可以达到1800℃。仪器标配中含有一套不锈钢真空法兰(法兰上安装有不锈钢针阀和机械压力表)和一根标配高纯氧化铝炉管(60mmO.Dx 1000 mm L)。控温系统采用PID30段程序化控温,控温精度可达到+/-1℃。此仪器广泛的用于在真空或气氛保护环境下对材料进行烧结和退火。
1700℃双温区管式炉
GSL-1700X-II是一款CE认证的双温区高温管式炉,每个加热区长度12’’,由30段智能温度调节仪进行控温,温度达到1700度时加热元件采用硅钼棒,温度在1400度时加热元件采用硅碳棒,可通过调节两个温区的控温程序使炉管内温场形成一温度梯度,此系列管式炉可以用CVD或PVD方法来生长纳米材料和制作各种薄膜.
1600℃真空高温管式炉
GSL-1600X-S管式炉,内衬采用高纯度氧化铝微晶纤维在高温下真空吸附烧结成型并加装进口氧化锆炉膛,使得整体保温性能提高,30段可编程温度控制器。同时具备体积小、使用功率小、使用温度高*高可达1600℃、可在真空或气体保护条件下使用,配备我公司生产的ZGK-103真空系统*高真空度可达到10-3Pa。广泛应用于材料与化学实验室的材料制备。 我公司供应的产品符合国家有关环保法
1600℃三温区管式炉
多温区高温管式炉(双温区、三温区)主要应用于高���院校、科研院所、工矿企业等实验和小批量生产之用。主要用于电子陶瓷产品的预烧、烧结、镀膜、高温热解低温沉积(CVD)工艺等。
1600℃双温区管式炉
GSL-1600X-II是一款CE认证的双温区高温管式炉,每个加热区长度12’’,由30段智能温度调节仪进行控温,温度达到1600度时加热元件采用硅钼棒,温度在1400度时加热元件采用硅碳棒,可通过调节两个温区的控温程序使炉管内温场形成一温度梯度,此系列管式炉可以用CVD或PVD方法来生长纳米材料和制作各种薄膜。
1600℃管式炉
GSL-1600X是一款CE认证的高温管式炉,加热元件采用1700度的硅钼棒,此款设备被广泛的用于新材料样品的烧结或是退火(在真空或是惰性气体保护状态下),控温采用30段可编程智能温度调节仪,控温精度+/-1℃ ,此款高温炉的*高温度1650度。
1800℃高温真空管式炉
1800℃高温真空管式炉,内衬采用高纯度氧化铝多晶纤维在高温下真空吸附烧结成型并涂有进口氧化锆涂层,使得整体保温性能提高,30段可编程温度控制器。同时具备体积小、使用功率小、使用温度高*高可达1800℃、可在真空或气氛保护条件下使用,配备我公司生产的GZK-103真空系统*高真空度可达到10-3Pa。广泛应用于材料与化学实验室的材料制备。
1700℃管式炉
GSL-1700X管式炉是一款通过CE认证的小型管式炉,其加热元件采用1800级硅钼棒。升温和降温由30段程序进行控制,*高温度可以达到1700℃。此款高温炉可以广泛地用于材料的烧结或是退火(在真空或是惰性气体保护状态下)。
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