IGBT驱动电路 - 北京普尔盛电子技术有限公司

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	经济型六路IGBT驱动器 PSHI6012 PSHI6017	■PSHI6012可以驱动全系列1200V IGBT（Vce监测保护的设置是根据1200V IGBT的特性设定的）。 ■PSHI6017可以驱动全系列1700V IGBT（Vce监测保护的设置是根据1700V IGBT的特性设定的）。 ■工作模式可以选择为3个半桥模式或6个单路模式。 ■输入采用CMOS电平。 ■通过Vce 提供短路保护 ■发生短路时，具有软关断功能 ■通过变压器（而非
	智能双路SEMIX3-IGBT驱动器 PSHI23X312（17）	■PSHI23X3/12 可以驱动西门康1200V SEMiX3全系列IGBT（Vce 监测保护的出厂设置根据1200V IGBT的特性设定）。 ■PSHI23X3/17 可以驱动西门康1700V SEMiX3全系列IGBT（Vce 监测保护的出厂设置根据1700V IGBT的特性设定）。 ■工作模式可以选择为半桥模式或两个单路模式。 ■CMOS 电平输入。 ■通过Vce 提供短路保护。
	双路大功率小体积智能IGBT驱动器 PSHI2412 PSHI2417	1 产品特点 ■PSHI2412 可以驱动全系列1200V IGBT（Vce 监测保护的出厂设置根据1200V IGBT 的特性设定）。 ■PSHI2417 可以驱动全系列1700V IGBT（Vce 监测保护的出厂设置根据1700V IGBT 的特性设定）。 ■工作模式可以选择为半桥模式或两个单路模式。 ■输入可兼容CMOS/TTL(HCMOS)电平。 ■通过Vce 提供短路保护。
	智能双路大功率IGBT驱动器 PSHI2312 PSHI2317	■PSHI2312 可以驱动全系列1200V IGBT（Vce 监测保护的出厂设置根据1200V IGBT 的特性设定）。 ■PSHI2317 可以驱动全系列1700V IGBT（Vce 监测保护的出厂设置根据1700V IGBT 的特性设定）。 ■工作模式可以选择为半桥模式或两个单路模式。 ■输入可兼容CMOS/TTL(HCMOS)电平。 ■通过Vce 提供短路保护。 ■发生短路时，
	经济型双路大功率IGBT驱动器 PSHI2012 PSHI2017	■PSHI2012可以驱动200A/1200V IGBT（Vce监测保护的设置是根据1200V IGBT的特性设定的）。 ■PSHI2017可以驱动200A/1700V IGBT（Vce监测保护的设置是根据1700V IGBT的特性设定的）。 ■工作模式可以选择为半桥模式或两个单路模式。 ■输入采用CMOS电平。 ■通过Vce 提供短路保护 ■发生短路时，具有软关断功能 ■通过变压器（
	一单元大功率IGBT驱动器 PSHI1012 PSHI1017	■PSHI1012可以驱动全系列1200V IGBT（Vce监测保护的出厂设置根据1200V IGBT的特性设定）。 ■PSHI1017可以驱动全系列1700V IGBT（Vce监测保护的出厂设置根据1700V IGBT的特性设定）。 ■输入可兼容CMOS/TTL(HCMOS)电平。 ■通过Vce 提供短路保护。 ■发生短路时，具有软关断功能。 ■通过变压器（而非光耦）进行电气隔

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