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IGBT模块的优点

IGBT模块是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种元件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种元件的优点，既具有MOSFET元件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型元件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管中间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、**率应用中占据了主导地位。

若在IGBT的栅极G和发射极E中间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极C与基极中间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极中间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型元件，在它的栅极G—发射极E间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

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