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IGBT模块的产品特点


 
IGBT模块由MOSFET和双极型晶体管复合的一个组件,它的输入是极其MOSFET,输出非常PNP晶体管,它将两个组件的优点,既有MOSFET器件驱动的优势,小功率和开关速度快,具有双相情感元素的优势,低饱和电压,容量大,其频率特性和功率晶体管之间MOSFET,可以正常工作在几十千赫频率范围,在现代电力电子技术已经被越来越多的广泛使用,在高频率的大、**率应用占据了主导地位。如果在中间的IGBT门G和发射极E和驱动正电压,接通,这收集器MOSFET C和底部的PNP晶体管晶体管传导为中间低阻状态;如果IGBT门和发射极电压为0 v,MOS切断,切断了PNP晶体管基极电流供应,晶体管截止。IGBT作为MOSFET是电压控制元件,在网格G - 10 V直流电压之间应用发射器E,只有在uA水平的泄漏电流通过,基本上不消耗功率。
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