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集成电路纲要性文件即将出台 政策扶持半导体迎黄金爆发期

据中国半导体行业协会的相关人士透露,有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕,目前正在进行部际协调。功率半导体是节能减排的关键技术和基础技术,被大量应用于消费类电子、新能源汽车、光伏发电、风电、工业控制和国防装备。

据中国半导体行业协会的相关人士透露,有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕,目前正在进行部际协调。获悉,政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面,集成电路纲要性文件即将出台 政策扶持半导体迎黄金爆发期尤其是本土自主核心产业龙头企业,功率半导体将迎来重要战略机遇期和黄金发展期。

功率半导体是节能减排的关键技术和基础技术,被大量应用于消费类电子、新能源汽车、光伏发电、风电、工业控制和国防装备。2013年以来我国大部分地区雾霾天气频发,在这种背景下,大规模使用功率半导体来提高能源效率、促进节能减排,也成为半导体行业发展的重要方向。

半导体功率器件的产品门类非常广,主要包括功率MOS晶体管(PowerMOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、快恢复二极管(FRD),以及尚未得到大规模应用的采用SiC和GaN的新一代功率半导体。

据矢野经济研究所的统计,未来7年间,干式试验变压器全球功率半导体销售额的复合增长率三倍于整个半导体行业3%的营收增速。

从国内的情况来看,随着全球空调、节能电机等电子产品产能向国内转移,功率半导体的需求也成倍的增加,仅IGBT产品的需求规模已经超过100亿元,并且国内已经出现格力电器等消费IGBT模块超过10亿元的企业,我国已成为全球*大的功率半导体器件消费市场。

IGBT器件仍然严重依赖于国外公司,国产产品市场占有率不足10%。

面对这种状况,国内半导体企业关于IGBT的项目纷纷获得政府补助,去年12月2日、23日,台基股份的IGBT产业化项目连续获得专项资金扶持,12月31日,士兰微公告其“高压IGBT芯片工艺技术开发及产业化”项目获得国家专项资金扶持。

士兰微在国家科技重大专项(研发多芯片功率模块)的支持下,已成功地完成了高压MOSFET、600V-1200VIGBT、FRD、600V-1200V高压驱动集成电路、功率模块等新技术新产品的研发,相关的产品已陆续开始投入市场,展现了很好的市场前景。

科陆电子作为智能电表行业的龙头企业,集成电路纲要性文件即将出台 政策扶持半导体迎黄金爆发期积极拓展智能电网、节能减排和新能源等多个领域,已经成为节能减排领域的企业,也是发改委重点扶持的IGBT应用的重点探索企业。公司在2011年获得科技部的专项资金用于碳化硅及硅基IGBT多芯片串联模块研发和测试平台的建立。

华微电子自主研发的IGBT产品以及改进后的可控硅产品,也取得了一定程度的市场进展,开发出一些较大应用客户群。此外,第三代MOSFET产品和TRENCH工艺平台,在市场上得到了较高的认可度。