XED4900E变频介质损耗测试仪简介：
1.本仪器用于现场抗干扰介损测量，或试验室精密介损测量。
2.仪器为一体化结构，内置介损电桥、变频电源、试验变压器和标准电容器等。
3.采用变频抗干扰和傅立叶变换数字滤波技术，全自动智能化测量，强干扰下测量数据非常稳定。
4.测量结果由大屏幕液晶显示，自带微型打印机可打印输出。
二，XED4900E变频介质损耗测试仪主要技术指标
准确度： Cx:±(读数×1%+1pF) tgδ:±(读数×1%+0.00040)
抗干扰指标： 变频抗干扰，在200%干扰下仍能达到上述准确度 电容量范围： 内施高压：3pF～60000pF/10kV 60pF～1μF/0.5kV 外施高压：3pF～1.5μF/10kV 60pF～30μF/0.5kV 分辨率：*0.001pF，4位有效数字 t gδ范围：不限，分辨率0.001%， 电容、电感、电阻��种试品自动识别。 试验电流范围：10μA～5A 内施高压： 设定电压范围：0.5～10kV *大输出电流：200mA 升降压方式：连续平滑调节 电压精度：±(1.5%×读数+10V) 电压分辨率：1V 试验频率：45、50、55单频 频率精度：±0.01Hz 外施高压： 正接线时*大试验电流1A，工频或变频40-70Hz 反接线时*大试验电流10kV/1A，工频或变频40-70Hz
CVT自激法低压输出： 输出电压3～50V，输出电流3～30A 测量时间：约40s，与测量方式有关 输入电源：180V～270VAC，50Hz/60Hz±1%，市电或发电机供电 计算机接口：标准RS232接口 打印机： 炜煌A7热敏微型打印机 环境温度：-10℃～50℃ 相对湿度：<90%