80E09B 电接口采样模块深圳集源科技有限公司

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产品名称：电接口采样模块
产品型号：80E09B
产品展商：美国泰克
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简单介绍

宽带高达 70 GHz，测得的上升时间为 5 ps (10-90%)

产品描述

技术数据

除另行说明外，所有技术规格均受保证。

型号概述

模块	应用	带宽 1	通道	输入阻抗	输入连接器
80E11 80E11X1	高频低噪声信号采集和抖动检定	70/60/(40) GHz 2	2/1	50 ±1.0 Ω	1.85 mm 插孔
80E10B	真正差分 TDR，S 参数和故障隔离	50/40/(30) GHz 2	2	50 ±1.0 Ω	1.85 mm 插孔
80E09B	高频低噪声信号采集和抖动检定	60/40/(30) GHz 2	2	50 ±1.0 Ω	1.85 mm 插孔
80E08B	真正差分 TDR 和 S 参数	30/(20) GHz 2	2	50 ±1.0 Ω	2.92 mm 插孔
80E07B	用噪声/性能换取*佳抖动检定	30/(20) GHz 2	2	50 ±1.0 Ω	2.92 mm 插孔
80E04	TDR 阻抗和串扰检定	20 GHz 3	2	50 ±0.5 Ω	3.5 mm 插孔
80E03 80E03-NV	设备检定	20 GHz 4	2	50 ±0.5 Ω	3.5 mm 插孔

1正常文本表示有保证值。括号里的值是典型（无保证）值，表示仪器的典型性能。

2用户可选择。

3根据 0.35 带宽上升时间乘积而计算出。

480E03 带宽根据 0.35 带宽上升时间乘积而计算出。80E03-NV 带宽经过直接验证。

80E11、80E11X1

上升时间: 5 ps（根据 0.35 带宽上升时间乘积而计算出）

动态范围: 800 mVp-p

偏置范围: ±1.1 V

*大工作电压: ±1.1 V

*大无损电压，DC + ACp-p: 2.0 V

垂直数字化位数: 16 位满刻度

垂直灵敏度范围: 8 mV 至 800 mV 满刻度

直流垂直电压精度，单点，在 ±2 °C 补偿温度范围内

±2 mV

± 0.007 *（指定偏置）

± 0.02 *（垂直值 - 指定偏置）

阶跃响应异常（典型值）

对于波带 10 ns 至阶跃过渡前的 20 ps，为 ±1% 或以下

对于阶跃过渡后的头 400 ps，为 +6%，–10% 或以下

对于波带 400 ps 至阶跃过渡后的 3 ns，为 +0%，–4% 或以下

对于波带 3 ns 至阶跃过渡后的 100 ns，为 +1%，–2% 或以下

对于阶跃过渡后的 100 ns，为 ±1%

*大 RMS 噪声（无保证，典型值）

70 GHz：≤1100 μV (950 μV)

60 GHz：≤600 μV (450 μV)

40 GHz：≤480 μV (330 μV)

括号里的值是典型值，表示仪器的正常性能。

80E10B

上升时间: 7 ps（根据 0.35 带宽上升时间乘积而计算出）

动态范围: 1.0 Vp-p

偏置范围: ±1.1 V

*大工作电压: ±1.1 V

*大无损电压，DC + ACp-p: 2.0 V

垂直数字化位数: 16 位满刻度

垂直灵敏度范围: 10 mV 至 1.0 v 满刻度

直流垂直电压精度，单点，在 ±2 °C 补偿温度范围内

±2 mV

± 0.007 *（指定偏置）

± 0.02 *（垂直值 - 指定偏置）

阶跃响应异常（典型值）

对于波带 10 ns 至阶跃过渡前的 20 ps，为 ±1% 或以下

对于阶跃过渡后的头 400 ps，为 +6%，–10% 或以下

对于波带 400 ps 至阶跃过渡后的 3 ns，为 +0%，–4% 或以下

对于波带 3 ns 至阶跃过渡后的 100 ns，为 +1%，–2% 或以下

对于阶跃过渡后的 100 ns，为 ±1%

*大 RMS 噪声（无保证，典型值）

50 GHz：≤700 μV (600 μV)

40 GHz：≤480 μV (370 μV)

30 GHz：≤410 μV (300 μV)

括号里的值是典型值，表示仪器的正常性能。

TDR 阶跃幅度: 250 mV（两种阶跃的极性都可反相）

TDR 系统反射上升时间: 15 ps

TDR 系统入射上升时间: 12 ps

TDR 阶跃相差校正范围: ±250 ps

TDR 采样器相差校正范围: ±250 ps

TDR 阶跃*大重复率: 300 kHz
此模块在 DSA8200、TDS/CSA8200、TDS/CSA800B 或 TDS/CSA8000 主机中使用时，TDR 阶跃*大重复率为 200 kHz

80E09B

上升时间: 5.8 ps（根据 0.35 带宽上升时间乘积而计算出）

动态范围: 1.0 Vp-p

偏置范围: ±1.1 V

*大工作电压: ±1.1 V

*大无损电压，DC + ACp-p: 2.0 V

垂直数字化位数: 16 位满刻度

垂直灵敏度范围: 10 mV �� 1.0 v 满刻度

直流垂直电压精度，单点，在 ±2 °C 补偿温度范围内

±2 mV

± 0.007 *（指定偏置）

± 0.02 *（垂直值 - 指定偏置）

阶跃响应异常（典型值）

对于波带 10 ns 至阶跃过渡前的 20 ps，为 ±1% 或以下

对于阶跃过渡后的头 400 ps，为 +6%，–10% 或以下

对于波带 400 ps 至阶跃过渡后的 3 ns，为 +0%，–4% 或以下

对于波带 3 ns 至阶跃过渡后的 100 ns，为 +1%，–2% 或以下

对于阶跃过渡后的 100 ns，为 ±1%

*大 RMS 噪声（无保证，典型值）

60 GHz：≤600 μV (450 μV)

40 GHz：≤480 μV (330 μV)

30 GHz：≤410 μV (300 μV)

括号里的值是典型值，表示仪器的正常性能。

80E08B

上升时间: 11.7 ps（根据 0.35 带宽上升时间乘积而计算出）

动态范围: 1.0 Vp-p

偏置范围: ±1.1 V

*大工作电压: ±1.1 V

*大无损电压，DC + ACp-p: 2.0 V

垂直数字化位数: 16 位满刻度

垂直灵敏度范围: 10 mV 至 1.0 v 满刻度

直流垂直电压精度，单点，在 ±2 °C 补偿温度范围内

±2 mV

± 0.007 *（指定偏置）

± 0.02 *（垂直值 - 指定偏置）

阶跃响应异常（典型值）

对于波带 10 ns 至阶跃过渡前的 20 ps，为 ±1% 或以下

对于阶跃过渡后的头 400 ps，为 +6%，–10% 或以下

对于波带 400 ps 至阶跃过渡后的 3 ns，为 +0%，–4% 或以下

对于波带 3 ns 至阶跃过渡后的 100 ns，为 +1%，–2% 或以下

对于阶跃过渡后的 100 ns，为 ±1%

*大 RMS 噪声（无保证，典型值）

30 GHz：≤410 μV (300 μV)

20 GHz：≤380 μV (280 μV)

括号里的值是典型值，表示仪器的正常性能。

TDR 阶跃幅度: 250 mV（两种阶跃的极性都可反相）

TDR 系统反射上升时间: 20 ps

TDR 系统入射上升时间: 18 ps

TDR 阶跃相差校正范围: ±250 ps

TDR 采样器相差校正范围: ±250 ps

TDR 阶跃*大重复率: 300 kHz
此模块在 DSA8200、TDS/CSA8200、TDS/CSA800B 或 TDS/CSA8000 主机中使用时，TDR 阶跃*大重复率为 200 kHz

80E07B

上升时间: 11.7 ps（根据 0.35 带宽上升时间乘积而计算出）

动态范围: 1.0 Vp-p

偏置范围: ±1.1 V

*大工作电压: ±1.1 V

*大无损电压，DC + ACp-p: 2.0 V

垂直数字化位数: 16 位满刻度

垂直灵敏度范围: 10 mV 至 1.0 v 满刻度

直流垂直电压精度，单点，在 ±2 °C 补偿温度范围内

±2 mV

± 0.007 *（指定偏置）

± 0.02 *（垂直值 - 指定偏置）

阶跃响应异常（典型值）

对于波带 10 ns 至阶跃过渡前的 20 ps，为 ±1% 或以下

对于阶跃过渡后的头 400 ps，为 +6%，–10% 或以下

对于波带 400 ps 至阶跃过渡后的 3 ns，为 +0%，–4% 或以下

对于波带 3 ns 至阶跃过渡后的 100 ns，为 +1%，–2% 或以下

对于阶跃过渡后的 100 ns，为 ±1%

*大 RMS 噪声（无保证，典型值）

30 GHz：≤410 μV (300 μV)

20 GHz：≤380 μV (280 μV)

括号里的值是典型值，表示仪器的正常性能。

80E04

上升时间: ≤17.5 ps（根据 0.35 带宽上升时间乘积而计算出）

动态范围: 1.0 Vp-p

偏置范围: ±1.6 V

*大工作电压: ±1.6 V

*大无损电压，DC + ACp-p: 3.0 V

垂直数字化位数: 16 位满刻度

垂直灵敏度范围: 10 mV 至 1.0 v 满刻度

直流垂直电压精度，单点，在 ±2 °C 补偿温度范围内

±2 mV

± 0.007 *（指定偏置）

± 0.02 *（垂直值 - 指定偏置）

阶跃响应异常（典型值）

对于波带 10 ns 至阶跃过渡前的 20 ps，为 ±3% 或以下

对于阶跃过渡后的头 300 ps，为 +10%，-5% 或以下

对于波带 300 ps 至阶跃过渡后的 5 ns，为 3% 或以下

对于波带 5 ns 至阶跃过渡后的 100 ns，为 ±1% 或以下

对于阶跃过渡后的 100 ns，为 ±0.5%

*大 RMS 噪声（无保证，典型值）: 20 GHz：≤1.2 mV (600 µV)
括号里的值是典型值，表示仪器的正常性能。

TDR 阶跃幅度: 250 mV（两种阶跃的极性都可反相）

TDR 系统反射上升时间: 28 ps

TDR 系统入射上升时间: 23 ps

TDR 阶跃相差校正范围: ±50 ps

TDR 采样器相差校正范围: +100 ns，–500 ps（仅校正插槽相差）

TDR 阶跃*大重复率: 300 kHz
此模块在 DSA8200、TDS/CSA8200、TDS/CSA800B 或 TDS/CSA8000 主机中使用时，TDR 阶跃*大重复率为 200 kHz

80E03、80E03-NV

上升时间: ≤17.5 ps（根据 0.35 带宽上升时间乘积而计算出）

动态范围: 1.0 Vp-p

偏置范围: ±1.6 V

*大工作电压: ±1.6 V

*大无损电压，DC + ACp-p: 3.0 V

垂直数字化位数: 16 位满刻度

垂直灵敏度范围: 10 mV 至 1.0 v 满刻度

直流垂直电压精度，单点，在 ±2 °C 补偿温度范围内

±2 mV

± 0.007 *（指定偏置）

± 0.02 *（垂直值 - 指定偏置）

阶跃响应异常（典型值）

对于波带 10 ns 至阶跃过渡前的 20 ps，为 ±3% 或以下

对于阶跃过渡后的头 300 ps，为 +10%，-5% 或以下

对于波带 300 ps 至阶跃过渡后的 5 ns，为 3% 或以下

对于波带 5 ns 至阶跃过渡后的 100 ns，为 ±1% 或以下

对于阶跃过渡后的 100 ns，为 ±0.5%

*大 RMS 噪声（无保证，典型值）: 20 GHz：≤1.2 mV (600 µV)
括号里的值是典型值，表示仪器的正常性能。

物理特点

	宽度	��度	厚度	重量
80E11 80E11X1 80E04 80E03 80E03-NV	79.0 mm (3.1 in)	25.0 mm (1.0 in)	135 mm (5.3 in)	0.4 kg (0.87 lb)
80E10B 80E09B 80E08B 80E07B 1	55 mm (2.2 in)	25.0 mm (1.0 in)	75 mm (3.0 in)	0.175 kg (0.37 lb)

180E10B、80E09B、80E08B 和 80E07B 的远程采样器模块特点

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产品资料

电接口采样模块

技术数据

型号概述

80E11、80E11X1

80E10B

80E09B

80E08B

80E07B

80E04

80E03、80E03-NV

物理特点