霍尔效应测试系统 - 北京锦正茂科技有限公司

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产品图片	产品名称/型号	产品简单介绍
	霍尔效应测试仪高阻型测试设备 JH60E	JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。高温霍尔效应测试仪
	霍尔效应测试仪—低温型 JH60D	JH60D霍尔效应测试系统-低温型技术指标： * 磁场：10mm 间距为 2T 30mm 间距为 1T * 样品电流：0.05uA~50mA(调节 0.1nA) * 测量电压：0.1uV~30V
	锦正茂高低温磁场型测试仪 JH60C	本仪器系统由：电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦，控温仪，系统软件。
	锦正茂霍尔效应测试仪—低温型 JH60D	为本仪器系统专门研制的 JH10 效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。
	锦正茂直销高温霍尔效应测试仪 JH60E	JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。
	实验室永磁体霍尔效应测试系统 JH60	实验室永磁体霍尔效应测试系统组成：本仪器系统由永磁体、高精度恒流源高精度电压表、标准样品、高精度高斯计和系统软件组成。
	高阻型实验用霍尔效应测试仪 JH60E	JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。
	霍尔效应测试仪高低温磁场型 JH60C	霍尔效应测试仪高低温磁场型
	高磁场型可变温霍尔效应测试仪 JH60B	霍尔效应测试仪-高磁场型本仪器可单独做恒流源、微伏表使用。
	实验室霍尔效应测试仪-电磁铁型 JH60A	霍尔效应测试仪-电磁铁型为本仪器系统专门研制的效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍耳测量复杂的切矩阵开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。
	变温霍尔测量系统低温型 60D	变温霍尔测量系统由电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦，控温仪，系统软件。
	教学霍尔测试仪 60C	为本仪器系统专门研制的JH10 效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。教学霍尔测试仪
	霍尔效应测试系统 60B	用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。
	霍尔测试仪 60A	霍尔测试仪本仪器系统用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的
	高温霍尔效应系统 JH60E	系统由电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦，控温仪，系统软件。
	霍尔效应系统-低温型可变温设备 JH60D	为本仪器系统专门研制的 JH10 效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。
	霍尔效应系统-可变温测试系统 JH60C	JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。霍尔效应系统-高低温磁场型
	霍尔效应系统-高磁场 JH60B	为本仪器系统专门研制的 JH10效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。JH10可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。
	霍尔效应测试仪 JH60A	用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。
	高温霍尔效应测试系统 JH60E	高温霍尔效应测试系统可测试材料: 半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等高阻抗材料：半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等

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