GSI低延迟DRAM
GSI低延迟DRAM （LLDRAM） 是一个理想的解决方案，为先进的数据网络应用程序。它的低随机周期时间 （tRC）、 八银行存储阵列结构和双数据速率传输使商品 DRAM 所无法比拟的性能水平。其 SRAM 类似地址界面使得它更容易使用。其结果是一种设备，可以保持很多网络任务的近 100%总线利用率。
GSI 的*新的低延迟 DRAM 家庭 LLDRAM III，还提供更高的密度，低功耗和竞争解决方案相比低针脚数和更广泛的数据总线 （x 20 和 x 40） 在 HSTL 版本中可用允许使用的数据编码方案 （例如，8b/10b） 和 ECC 保护选项 （例如，保护的 32 位数据量程使用 6 个或 7 ECC 奇偶校验位），是不切实际的在传统的 x 18 和 x 36 公羊。
GSI 的 LLDRAM 器件非常适合 10GbE、 40GbE 和 100GbE 数据包缓冲和检查任务。他们是上各种网络处理器和 FPGA 架构所选择的技术。
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