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  • 产品名称：N沟纵向MOSFET BLV108

  • 产品型号：BLV108
  • 产品厂商：其它品牌
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简单介绍：
上海图一BLV108是一款N沟增强型VDMOS,高速开关,无二次击穿,BLV108产品主要应用于:电话机电路,继电器电路,驱动电路等.BLV108工作于25℃,其漏源电压Vdss*大为200V,栅源电压Vgss极限值为±20V.
详情介绍：

BLV108特性:

** 漏源电压Vdss极限值:200V

** 栅源电压Vgss极限值: ±20V

** 漏电流Id为300mA 

** 结温度和存储温度为:-50℃-- +150℃

** BLV108封装方式:TO92

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