1、可在真空，惰性气体(N2,Ar)环境下进行快速热处理； 2、*大样品直径：4英寸； 3、*高温度：1000℃； 4、*高升温速度：100℃/Second； 5、*高降温速度：80℃/Second； 6、温度控制准确度：±1%； 7、*低真空度≤5×10-3 Torr； 8、功率：红外卤素钨灯，1,250 W/ea ×11 lamps； 9、尺寸：760mm(W) × 400mm(D) × 400mm(H)；
1, 腔体Chamber：腔体为镀金工艺，金层有助于热反射均匀；腔体为方形，带有真空和气体端口。 2，基底固定器 Substrate Holder：4英寸，石英。 3, 加热器 Heater：11支红外卤素钨灯，水冷。 4, 真空泵 Pump：分子涡轮泵(TMP)，~ 10-6 Torr；旋叶式真空泵，~ 5*10-3 Torr； 5, 气体模块(包括质量流量控制器，MFC) Gas Module：气体流量可控；316不锈钢管，自动焊接、电解抛光工艺，VCR接口，液氦检漏达到10E-8 Torr. L/sec.水平。 6, 控制模块 Control Module：菜单可编辑，多程序快速温度控制及处理。
应用领域： 快速热退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA); 快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO); 快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN); 硅化 (Silicidation); 扩散 (Diffusion); 化合物半导体退火 (Compound Semiconductor Annealing); 离子注入后退火 (Implant Annealing); 电极合金化 (Contact Alloying); 晶向化和坚化 (Crystallization and Densification); 等等…