除了人造金刚石，高阻抗的本征硅（高阻硅）材料是适合极宽范围从(1.2 µm) 到mm (1000 µm甚至8000um)波的各项同性晶体材料。和人造金刚石相比，它要便宜的多，并且生长制造更容易。而且他尺寸更大，更容易制造，THZ技术的快速发展，就基于该优点。对于THZ应用，我们提供在1000 µm (对于更长波长，3000甚至8000微米)透过率达到50-54%的High Resistivity Float Zone Silicon (HRFZ-Si)。高阻抗浮区本征硅材料，和相关光学元件。
合成电解质硅的介电常数由传导率决定（例如：自由电子-载流子浓度）。图3显示的是在1THZ下，不同纯度下的硅的介电常数.低掺杂的介电常数接近真实值，大约等于高频介电常数。随着掺杂浓度的提高，真实的介电常数将变成负数，而且不能被忽略。介电常数表征的是THZ波的传输损耗特性。损耗系数可以用下面的公式计算：tanδ=1/(ω*εv*ε0*R), 这里 ω – 圆频率, εv – 真空下的介电常数（8.85*10-12 F/m）。ε0 –硅的介电常数(11.67), R是电阻值。例如，1THZ下，10 kOhm 阻值的HRFZ-Si损耗系数为1.54*10-5。
1mm厚度的高阻抗本征硅窗片的太赫兹时域光谱仪测试数据
高阻抗本征硅产品
- 高阻抗硅衬底/基片/窗片
- 高阻抗硅球透镜
- 高阻抗硅分束镜
- 高阻抗硅镜头
1，高阻硅基片 2，高阻硅F-P标准具
3，高阻硅太赫兹半球透镜 4，高阻硅太赫兹子弹型透镜
5，高阻硅镜头 6，高阻硅棱镜