霍尔效应测试系统深圳市森美协尔科技有限公司

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产品名称：霍尔效应测试系统
产品型号：
产品展商：semishare
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简单介绍

本系统是集成keithley 2400/2600系列高精度源表和semishare Polaris 高低温平台采用范德堡尔法则设计的应用于高精度的测量半导体材料的载流子类型（P型/N型），载流子浓度，迁移率，电阻率，霍尔系数等参数。能够适用于 Si,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN等各种材.

产品描述

简介	本系统是集成keithley 2400/2600系列高精度源表和semishare Polaris 高低温平台采用范德堡尔法则设计的应用于高精度的测量半导体材料的载流子类型（P型/N型），载流子浓度，迁移率，电阻率，霍尔系数等参数。能够适用于 Si,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN等各种材.
软件操作环境	Windows 98 / ME / 2000 / NT / XP环境下
	有效电流输出范围	6nA~100mA
	有效电压测量范围	-5~5V
	载流子浓度	107 – 1021
	concentration(/cm3)	107 – 1021
	迁移率Mobility(cm2/Vs)	1~107
	电阻率Resistivity (Ohm.cm)	10-4 - 107
	A/B ratio	ok
	RHD(cm3/C)	Ok
	RHC(cm3/C)	Ok
	RH(cm3/C)	Ok
	Sheet Resistance(Ohm)	Ok
	温度	温度(K):常温和77K 两个温度点
	温度	Option:77K~500K ,0.1摄氏度精度，可通过程序设定
仪器尺寸和重量	主机尺寸	89mm 高 × 213mm 宽 × 370mm 长
仪器尺寸和重量	重量	3.21kg
工作环境要求	0°–50°C, 70%R.H.
存储环境要求	–25°C to 65°C
范德堡尔法则终端转换器	200×120×110 mm (W×H×D)
净重	7.7千克
测量材料	Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)；

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