EM01-PV-II激光椭偏仪特点： 1.高精度、高稳定性 2.特定角度样品台，适合单晶硅太阳能电池的测量 3.适合绒面测量 4.操作简单 5.快速测量 6.快速、高精度样品方位对准 7.多角度测量 8.一体化集成设计 EM01-PV-II激光椭偏仪应用领域： 单晶、多晶及各种薄膜太阳能电池的折射率和膜厚测量领域，既适合科研院所研究使用，亦适合工厂进行工艺研究分析和产线上产品检测以及EM01系列激光椭偏仪家族的传统领域，包括半导体、集成电路、微电子、光学镀膜、医学与生命科学、电化学、平板显示领域、磁介质存储、聚合物、新材料、金属处理等。 EM01-PV-II性能保证： 1.高稳定性的He-Ne激光光源、高精度的采样方法以及低噪声探测技术，保证了系统的高稳定性和高准确度； 2.高精度的光学自准直望远系统，保证了快速、高精度的样品方位对准； 3.稳定的结构设计、可靠的样品方位对准，结合先进的采样技术，保证了快速、稳定测量； 4.分立式的多入射角选择，可应用于复杂样品的折射率和**厚度的测量； 5.一体化集成式的仪器结构设计，使得系统操作简单、整体稳定性提高，并节省空间； 6.专用软件方便太阳能电池测试和建模。 7.量拓自有**技术保障。
EM01-PV-II激光椭偏仪技术指标：
激光波长
632.8nm (He-Ne laser)
膜层厚度精度
0.01nm (对于Si基底上110nm的SiO2膜层)
0.05nm (对于绒面Si基底上80nm的Si3N4膜层)
折射率精度
1x10-4 (对于Si基底上110nm的SiO2膜层)
5x10-4 (对于绒面Si基底上80nm的Si3N4膜层)
光学结构
PSCA
激光光束直径
<1mm
入射角度
40°-90°可选，步进5°
样品方位调整
三维平移调节：±12.5mm（X-Y-Z三轴）
二维俯仰调节：±4°
光学自准直系统对准
样品台尺寸
Φ170mm
单次测量时间
0.2s
推荐测量范围
0-2000nm
*大外形尺寸(长x宽x高)
887 x 332 x 552mm (入射角为90º时)
仪器重量（净重）
25Kg