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晶體生長爐
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定向CVD生長爐
OTF-1200X-50-DSL是一款水平滑軌爐,其爐管直徑為Φ50mm,爐體滑動速度可以根據實驗需要而設置(1mm/sec-100mm/s),并可以設置左右反復滑動,同時還可以設置爐體的滑動距離。此款管式爐專門設計用CVD方法定向生長單壁碳納米管(SWCNTs)。通時此款滑軌爐也可用來在硅片上生長熔點較低的金屬單晶。此系統包含了可設30段程序的高溫爐、一根Φ50*1000mm的石英管和一套不銹鋼真空法蘭。
金屬晶體生長爐
SKJ-M50-16 金屬晶體生長爐是用坩堝下降法生長金屬晶體的設備。可在真空、大氣、惰性氣體或其他保護氣氛下,在可控的局部壓力狀態下運行。根據金屬的屬性,本設備可采用中頻感應加熱電源,以及石墨電阻加熱兩種加熱電源。采用歐陸微處理器與熱電偶閉環控制爐溫,使結晶體按照一定的直徑進行控制。
晶體生長爐
SKJ-50 晶體生長爐是用提拉法生長高質量氧化物單晶材料(YAG,LSAT,SrLaAlO4,LaAlO3等)的設備。每位材料研究者都知道可靠的數據來源于完整性好的單晶。 在新材料研究時,為了避免可變因數造成的影響,一臺性能穩定的單晶生長設備是非常必要的,然而很多晶體生長設備是非常昂貴的。沈陽科晶可提供性能穩定,價格適中的SKJ-50 單晶生長爐,可生長多種高熔點氧化物晶體,晶體尺寸達2-3"
提拉法晶體生長爐SKJ-50CZ
提拉法晶體生長爐SKJ-50CZ是用提拉法生長高質量氧化物單晶材料的設備。每位材料研究者都知道可靠的數據來源于完整性好的單晶。 在新材料研究時,為了避免可變因數造成的影響,一臺性能穩定的單晶生長設備時非常必要的,然而很多晶體生長設備時非常昂貴的。可提供性能穩定,價格適中的提拉法晶體生長爐SKJ-50CZ,可生長多種氧化物高熔點晶體,晶體尺寸達 2-3" 。
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