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760nm系列
高��率、单频输出DBR激光二极管
核心技术：
（1）DBR单频激光芯片；（2）AlGaAs 量子阱有源层。
产品特点：
（1）高功率，单频输出；（2）激光线宽小于1MHz；（3）多种封装形式；（4）无跳模调谐范围宽；（5）使用寿命长；（6）可提供纳秒或皮秒脉冲输出。
760nm高功率激光二极管是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。它可以提供衍射极限且单纵模输出的激光光束，主要应用于氧气探测等领域。
DBR激光二极管将光栅放置于激光有源层的一端，可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击，能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。另外，DBR激光二极管采用单步分子束外延生长而成，使生产成本更加低廉，并且保证了低内部损耗和高输出功率。
技术参数：
储存温度
-40-125℃
工作温度
5.0-70℃
正向电流（连续模式输出）
40-120mA
正向电流（脉冲模式输出），T=25℃
脉冲宽度：300ns
0.2A
激光反向电压
0.0V
光电二极管正向电流 1/2/
5.0mA
光电二极管反向电压 1/2/
20.0V
光电二极管暗电流，VR=10V，1/2/
50nA
TEC电流 1/2/
-1.8—1.8A
TEC电压 1/2/
-1.9—1.9V
热敏电阻电流 1/2/
1.0mA
热敏电阻电压 1/2/
10V
连续模式输出技术参数（T=25℃）
中心波长
760nm、763nm(Typ.)
输出功率
40、80mW
斜率效率（蝶形封装）
0.36W/A
斜率效率（TO-8封装）
0.70W/A
阈值电流
50mA
激光二极管电阻值
2.0Ω
正向电压
2.0V
热敏电阻阻值@25℃，1/2/
10KΩ
激光线宽
0.7MHz
温度调谐系数
30GHz/℃
电流调谐系数
1.3GHz/mA
偏振消光比，1/
-19dB
光束发散角@FWHM
6x26°
边模抑制比
-30dB（Min）
激光偏振
TE
模式结构
基模
1/蝶形封装 2/TO-8封装
多种封装形式可选择
【760nm/763nm可调谐激光二极管】【760nm/763nm可调谐激光二极管】【760nm/763nm可调谐激光二极管】【760nm/763nm可调谐激光二极管】【760nm/763nm可调谐激光二极管】