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PH770DBR
770nm系列
高功率、单频输出激光二极管
核心技术:
(1)DBR单频激光芯片;(2)AlGaAs 量子阱有源层。
产品特点:
(1)高功率,单频输出;(2)激光线宽小于1MHz;(3)多种封装形式;(4)无跳模调谐范围宽;(5)使用寿命长;(6)可提供纳秒或皮秒脉冲输出。(7)调制频率可达6.8GHz(for putting sidebands on the laser)。
PH770DBR系列高功率激光二极管是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。它可以提供衍射极限且单纵模输出的激光光束,主要应用于K原子精密谱线研究等领域。DBR激光二极管将光栅放置于激光有源层的一端,可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击,能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。另外,DBR激光二极管采用单步分子束外延生长而成,使生产成本更加低廉,并且保证了低内部损耗和高输出功率。
技术参数:
储存温度
0-80℃
工作温度
5-70℃
正向电流(连续模式输出)
70-150mA
正向电流(脉冲模式输出),T=25℃
脉冲宽度:300ns
0.3A
激光反向电压
0.0V
光电二极管正向电流 1/2/
5.0mA
光电二极管反向电压 1/2/
20.0V
光电二极管暗电流,VR=10V,1/2/
50nA
TEC电流 1/2/
-1.8—1.8A
TEC电压 1/2/
-1.9—1.9V
热敏电阻电流 1/2/
1.0mA
热敏电阻电压 1/2/
10V
连续模式输出技术参数(T=25℃)
中心波长
770nm(Typ.)
输出功率
40、80mW
斜率效率(蝶形封装)
0.36W/A
斜率效率(TO-8封装)
0.75W/A
阈值电流
50mA
激光二极管电阻值
2.0Ω
正向电压
2.0V
热敏电阻阻值@25℃,1/2/
10KΩ
激光线宽
0.7MHz
温度调谐系数
30GHz/℃
电流调谐系数
1.3GHz/mA
偏振消光比,1/
-19dB
光束发散角@FWHM
6x26°
边模抑制比
-30dB(Min)
激光偏振
TE
模式结构
基模
1/蝶形封装 2/TO-8封装
注意事项:
此激光二极管是静电敏感器件,操作时请注意接地保护和佩戴静电手环。存储时请将各管脚短接在一起并放入防静电的容器内。
多种封装��式供选择
770nm可调谐激光管LIV曲线
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