DBR激光二极管，冷原子、BEC设备

产品资讯

请输入产品名称

噪声分析仪纺织检测仪器 Toc分析仪 PT-303红外测温仪转矩测试仪继电保护试验仪定氮仪

OEWindow
新增产品 | 公司简介
注册时间：2011-02-17
联系人：
电话：
Email：

首页公司简介产品目录公司新闻技术文章资料下载成功案例人才招聘荣誉证书联系我们

产品目录

当前位置：

首页 > 产品目录 > DBR激光二极管，冷原子、BEC设备

产品图片	产品名称/型号	产品简单介绍
	922nmDBR激光器 922DBRH	922nmDBR激光器是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。它具有超窄线宽（0.5MHz）、大功率输出（180mW）、超高稳定性等优点，主要应用于原子冷却。 922nmDBR激光器将光栅放置于有源层的一端，可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击，能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。
	920nmDBR激光器 920DBR	920nmDBR激光器是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。它具有超窄线宽（0.5MHz）、大功率输出（180mW）、超高稳定性等优点，主要应用于原子冷却。 920nmDBR激光器将光栅放置于有源层的一端，可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击，能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。
	808nmDBR激光器 808DBRH-TO8	808nmDBR激光器是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。它具有超窄线宽（0.5MHz）、大功率输出（180mW）、超高稳定性等优点，主要应用于原子冷却。 DBR激光管将光栅放置于有源层的一端，可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击，能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。
	800nmDBR激光器 800DBRH	800nmDBR激光器是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。它具有超窄线宽（0.5MHz）、大功率输出（180mW）、超高稳定性等优点，主要应用于原子冷却。 800nmDBR激光器将光栅放置于有源层的一端，可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击，能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。
	778nmDBR激光器 778.105nm	778nmDBR激光器是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。它具有超窄线宽（0.5MHz）、大功率输出（180mW）、超高稳定性等优点，主要应用于Rb原子双光子跃迁。
	894nmDBR激光器 894.592DBR	894nmDBR激光器是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。主要应用于Cs原子光谱研究、Cs原子钟、Cs磁力仪、原子干涉仪等领域。 894nmDBR激光器将光栅放置于有源层的一端，可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击，能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。该激光器输出线宽小于1MHz，输出功率40-240mW，无跳模调谐范围宽（2nm）、稳定性好，可以提供多种封装形式。调制频率可达6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。
	770nm可调谐激光管 770.108DBRH-TOSA	770nm可调谐激光管是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成，主要应用于K原子冷却、K原子精密谱线研究、K原子泵浦等领域。770nm可调谐激光管线宽小于1MHz、输出功率40-80mW，无跳模调谐范围宽，稳定性好，目前国内外的多家实验室都在使用。DBR激光二极管可以提供多种封装形式：C-mount、CS封装、TO-8封装、蝶形封装、TOSA封装等，调制频率可达6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。
	795nmDBR激光器 794.978DBRH-TO8	795nmDBR激光器是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。它具有超窄线宽（0.5MHz）、大功率输出（180mW）、超高稳定性等优点，主要应用于Rb原子光谱研究、Rb原子钟、重力计、磁强计、原子干涉仪等领域。调制频率可达6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。 795nmDBR激光器将光栅放置于有源层的一端，可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击，能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。另外，795nmDBR激光器可以提供多种封装形式：C-mount、CS封装、TO9mm封装、TO-8封装、蝶形封装、TOSA封装等，不同封装对应不同的Mount，方便用户使用。
	852nm可调谐激光管 852.347DBRH-TOSA	852nm可调谐激光管：852nm TOSA系列高功率、边发射激光二极管是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。主要应用于Cs原子钟、重力计、磁强计、原子干涉仪、太赫兹等领域。852nm单频激光二极管符合MIL883**标准，已大量应用在航天领域。该激光二极管采用TOSA封装，带有软性连接线，激光线宽小于1MHz，输出功率40-280mW，无跳模调谐范围宽，稳定性好，更加方便用户使用。调制频率可达6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。【852nm可调谐激光管】
	767nm可调谐激光器 766.700DBRH-TO8	767nm可调谐激光器是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成，主要应用于K原子光谱、K原子冷却、K原子泵浦研究等领域。 767nm可调谐激光器采用单步分子束外延生长而成，使生产成本更加低廉，并且保证了低内部损耗和高输出功率。输出激光线宽小于1MHz，输出功率40-80mW，更宽的无跳模调谐范围，超高稳定性。调制频率可达6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。多种封装形式供选择。
	1064nm脉冲激光种子源 1064DBR	1064nm脉冲激光种子源由Photodigm公司的DBR激光二极管与T165驱动电源构成。该1064nm脉冲激光种子源具有稳定性好、脉冲均匀，模式稳定等特点，非常适合应用在光纤激光器或固体激光器中做种子源。也可以应用于实践分辨荧光光谱学和相干雷达等领域。1064nm脉冲激光种子源脉冲宽的：100ps-850ns，驱动电流0-700mA，带有触发功能方便用户使用。
	854nmDBR单频激光器 854.209DBRH-TOSA	854nmDBR单频激光器是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。它具有超窄线宽（1MHz）、大功率输出、超高稳定性等优点，主要应用于钙离子囚禁、光频标等领域 854nmDBR单频激光器将光栅放置于有源层的一端，可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击，能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。调制频率可达6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。
	852nm可调谐激光二极管 852.347DBRH-TO8	852nm可调谐激光二极管由美国Photodigm公司生产，它可以提供衍射极限且单纵模输出的激光光束，主要应用在Cs原子光谱、Cs磁强计、Cs原子钟、原子干涉仪等设备中。 852nm可调谐激光二极管将光栅放置于有源层的一端，可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击，能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。输出激光线宽可达0.5MHz，功率40-280mW，无调模调谐范围30-60GHz。电流调谐系数1GHz/mA，调制频率可达6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。可以提供多种不同的封装形式。
	1083nmDBR激光器 1083.33DBRL-TO8	1083nmDBR激光器是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成，应用范围包括：光谱学、He磁力仪、光纤放大器种子源、差频振荡、替代低功率固体激光器等。 1083nmDBR激光器将光栅放置于激光有源层的一端，可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击，能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。1083nm激光二极管的线宽小于1MHz，输出功率40-120mW，具有非常好的稳定性。调制频率可达6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。
	780nm可调谐激光器 780.241DBR	780nm可调谐激光器： 780nm TOSA系列高功率、边发射DBR激光二极管由美国Photodigm公司生产。它可以提供衍射极限且单纵模输出的激光光束。主要应用于Rb原子钟、重力计、原子干涉仪等设备中。780nm可调谐激光器线宽小于1MHz，无调模调谐范围可达2nm，输出功率40-180mW，具有非常好的稳定性。调制频率可达6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。780nm Mercury系列产品已通过MIL883**标准测试，目前已大量应用在航天领域。
	760nm/763nm可调谐激光二极管 760DBRH-TO8	760nm/763nm可调谐激光二极管由美国Photodigm公司生产，波长包含：767nm（K）、770nm（K）、780nm（Rb）、795nm（Rb）、852nm（Cs）、894nm（Cs）、1083nm（He）主要应用于氧气探测、冷原子物理等领域。 760nm/763nm可调谐激光二极管将光栅放置于激光有源层一端，可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击，能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。Photodigm公司的DBR激光二极管具有线宽窄（<1MHz）、稳定性好、输出功率大等优点。目前已广泛应用于科学研究、航空航天等领域。
	785nmDBR激光管 785DBRH-TO8	785nmDBR激光管是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。它可以提供衍射极限且单纵模输出的激光光束，主要应用于拉曼光谱和光存储等领域。 785nmDBR激光管将光栅放置于有源层的一端，可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击，能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。另外，DBR激光二极管采用单步分子束外延生长而成，使生产成本更加低廉，并且保证了低内部损耗和高输出功率。
	1064nm单频激光器 1064DBRL-BF	1064nm单频激光器由美国Photodigm公司生产，采用先进的单频率激光芯片技术设计而成。可实现ps或ns超快脉冲输出，具有极高的光谱纯度、良好的下降沿和良好的匀称性。非常适合于种子源应用。尤其是小于100ps的超快脉冲输出使其具有极大的竞争优势。1064nm单频激光器还可以连续输出（CW），激光线宽小于1MHz，具有非常好的稳定性。
	976nmDBR激光二极管 976DBR	976nmDBR激光二极管是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。它可以提供衍射极限且单纵模输出的激光光束，应用范围包括：光谱学、差频振荡、Yb窄带泵浦、替代低功率固体激光器等。 DBR激光二极管将光栅放置于激光有源层的一端，可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击，能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。【976nmDBR激光二极管】
	Gain Chip (SAF、SOA) 激光芯片 780nm 795nm 852nm 894nm ECDL PHXXXSAF	Gain Chip (SAF、SOA) 激光芯片片-780nm/795nm/852nm/894nm 1.专为外腔半导体激光器（ECDL）设计，芯片侧面角度化处理可有效降低腔面反射。 2.采用密封9mm封装 3.宽光谱发射范围 4.超高的腔面真空钝化 SAF、SOA激光芯片

若网站内容侵犯到您的权益，请通过网站上的联系方式及时联系我们修改或删除