SAF SOA激光芯片 780nm OEWindow

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产品名称：Gain Chip (SAF、SOA) 激光芯片
产品型号：780nm 795nm 852nm 894nm ECDL PHXXXSAF
产品展商：其它品牌
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简单介绍

Gain Chip (SAF、SOA) 激光芯片片-780nm/795nm/852nm/894nm 1.专为外腔半导体激光器（ECDL）设计，芯片侧面角度化处理可有效降低腔面反射。 2.采用密封9mm封装 3.宽光谱发射范围 4.超高的腔面真空钝化 SAF、SOA激光芯片

产品描述

www.photodigm.com

Single Angle Facet Laser Diode

PHXXXSAF1009MM/780nm795nm852nm894nm

Single Angle Facet(SAF)增益芯片采用9mm密封封装（或者CoS封装），输出窗口带有AR coating以保证更好的光通量。

传统的ECDL一般使用FP激光二极管，为了使FP端面具有较小的反射率需要在芯片一端做AR Coating处理。与FP激光二极管不同，SAF增益芯片一端镀有高反膜，另一端镀有AR coating并且腔面采用了单一角度设计，这样使得腔面的反射率大大降低，因此在ECDL的应用中可以有效提高激光器的调谐范围和总体稳定性。另外，激光腔面经过了超高的真空钝化处理，激光芯片的使用寿命得到更大提高。

技术参数：

储存温度

0-80°C

工作温度

5-70°C

SAF正向电流

250mA

输出功率

120mW

SAF反向电压

0.0V

焊接温度，10秒

260°C

CW输出，T=25°C，150mA

中心波长

780nm/795nm/852nm

波长随温度变化

0.3nm/°C

3dB带宽

17nm

光输出功率@200mA

100mW

SAF正向电压

2.0V

偏振相关增益（TE/TM）

7dB

发散角@FWHM

6x26°

模式结构

基模

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产品目录

产品资料

Gain Chip (SAF、SOA) 激光芯片

储存温度	0-80°C
工作温度	5-70°C
SAF正向电流	250mA
输出功率	120mW
SAF反向电压	0.0V
焊接温度，10秒	260°C

中心波长	780nm/795nm/852nm
波长随温度变化	0.3nm/°C
3dB带宽	17nm
光输出功率@200mA	100mW
SAF正向电压	2.0V
偏振相关增益（TE/TM）	7dB
发散角@FWHM	6x26°
模式结构	基模