TEM氧化硅窗口 SO 上海昭沅仪器设备有限公司

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产品名称：TEM氧化硅窗口
产品型号：SO
产品展商：其它品牌
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简单介绍

TEM氧化硅窗口与氮化硅薄膜窗格比较：相比氮化硅薄膜，氧化硅薄膜更适合用于含氮样本。在EDS研究中，如基片薄膜含氮，则会与样本造成混淆。 TEM氧化硅窗口特点：清洗：采用等离子清洗，无有机物残留，改善成像质量；均匀性：减少了不同区域的不均匀性；稳定性：耐高温，>1000℃；良好的化学稳定性：图像分辨率和机械强度达到理想的平衡；化学计量比的SiO2：可用于氮气环境下的EDX分析；

产品描述

TEM氧化硅窗口

氧化硅与氮化硅薄膜窗格比较：

相比氮化硅薄膜，氧化硅薄膜更适合用于含氮样本。在EDS研究中，如基片薄膜含氮，则会与样本造成混淆。

样本安置面：

对多数用户来说，样本应安置在薄膜窗格的“覆膜面”而非“蚀坑面”。但我们也知道在一些特殊情况下，蚀坑面也可安置样本。除对样本进行原子力显微镜（AFM）观测外，蚀坑面本质上并非不可用于放置样本。实际上，没有一个显微镜的悬臂可以伸至蚀坑内“看清”薄膜表面。

产品规格：

TEM氧化硅窗口特点：

清洗：采用等离子清洗，无有机物残留，改善成像质量；

均匀性：减少了不同区域的不均匀性；

稳定性： 耐高温，>1000℃；

良好的化学稳定性：图像分辨率和机械强度达到理想的平衡；

化学计量比的SiO2：可用于氮气环境下的EDX分析；

氧化硅薄膜窗规格

窗口类型	薄膜厚度	窗口尺寸	框架尺寸	框架厚度
	20nm	2x1阵列，100X1500µm	Φ3mm	200µm
	40nm	2x1阵列，100X1500µm	Φ3mm	200µm
	20nm	3x3阵列，窗口100X100µm	Φ3mm	200µm
	100nm	3x3阵列，窗口100X100µm	Φ3mm	200µm
	8nm	窗口0.5x0.5mm，氮化硅薄膜200nm；24个网格，网格大小70x70µm	Φ3mm	200µm
	18nm	窗口0.5x0.5mm，氮化硅薄膜200nm；24个网格，网格大小60x60µm	Φ3mm	200µm
	40nm	窗口0.5x0.5mm，氮化硅薄膜200nm；24个网格，网格大小50x50µm	Φ3mm	200µm

优点：

SEM应用中，薄膜背景不呈现任何结构和特点。
x-射线显微镜中，装载多个分析样的**方法。
无氮

应用：

氧化硅薄膜应��范围非常广，甚至有时使不可能变为可能，但所有应用都有无氮要求（因样本中有氮存在）：

● 惰性基片可用于高温环境下，通过TEM、SEM或AFM（某些情况下）对反应进行动态观察。

● 作为耐用（如“强力”）基片，首先在TEM下，然后在SEM下对同一区域进行“匹配”。

● 作为耐用匹配基片，对AFM和TEM图像进行比较。

● 聚焦离子束（FIB）样本的装载，我们推荐使用多孔薄膜，而非不间断薄膜。

氧化硅薄膜TEM网格操作使用：

如果正确操作，氧化硅薄膜将会拥有非常好的性能。相反，若用工具直接接触薄膜，则会即刻损坏薄膜。为防损坏，可用尖嘴镊子小心夹取，就像夹取其他TEM网格一样。

使用前清洁：
    氧化硅薄膜窗格在使用前不需进行额外清洁。有时薄膜表面边角处会散落个别氧化物或氮化物碎片。由于单片网格需要从整个硅片中分离，并对外框进行打磨，因此这些微小碎片不可避免。尽管如此，我们相信这些碎片微粒不会对您的实验产生任何影响。

    如果用户确实需要对这些碎片进行清理，我们建议用H₂SO₄ : H₂O₂ (1:1)溶液清洁有机物，用H₂O:HCl: H₂O₂ (5:3:3)溶液清洁金属。

    通常不能用超声波清洗器清洁薄膜，因超声波可能使其粉碎性破裂。

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