TT570N14KOF
TT570N14KOF IGBT功率模块/IGBT智能模块
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公司推出冷mos管，它采用“超级结”(Super-Junction)结构，故又称超结功率MOSFET。工作电压600V～800V，通态电阻几乎降低了一个数量级，仍保持开关速度快的特点，是一种有发展前途的高频功率半导体电子器件。
IGBT刚出现时，电压、电流额定值只有600V、25A。很长一段时间内，耐压水平限于1200V～1700V，经过长时间的探索研究和改进，现在IGBT的电压、电流额定值已分别达到3300V/1200A和4500V/1800A，高压IGBT单片耐压已达到6500V，一般IGBT的工作频率上限为20kHz～40kHz，基于穿通(PT)型结构应用新技术制造的IGBT，可工作于150kHz(硬开关)和300kHz(软开关)。
IGBT的技术进展实际上是通态压降，快速开关和高耐压能力三者的折中。随着工艺和结构形式的不同，IGBT在20年历史发展进程中，有以下几种类型：穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、软穿通(SPT)型、沟漕型和电场截止(FS)型。
碳化硅Sic是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是：禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、PN结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率半导体电子元器件。
可以预见，碳化硅将是21世纪*可能成功应用的新型功率半导体器件材料。
TT570N14KOF备注：全新原装进口现货/接受订货
品牌：西门子（SIEMENS）、英飞凌(Infineon)、优派克（eupec）同属于西门子及子母公司。
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>>1600/1700V > 单管(1单元)
产品型号 参数说明
FZ400R17KE3 400A , 1700V , IGBT3
FZ400R17KE4 400A , 1700V , IGBT4
FZ1600R17KE3 1600A , 1700V , IGBT3
FZ1600R17KF6C_B2 1600A , 1700V , IGBT2
FZ1600R17HP4_B2 1600A , 1700V , IGBT4
FZ2400R17KE3 2400A , 1700V , IGBT3
> 半桥(2单元) 产品型号 参数说明
FF400R16KF4 400A , 1600V , IGBT2
BSM50GB170DN2 50A , 1700V , IGBT2
BSM75GB170DN2 75A , 1700V , IGBT2
BSM200GB170DLC 200A , 1700V , IGBT2
FF200R17KE3 200A , 1700V , IGBT3
TT570N14KOF是什么？TT570N14KOF是IGBT模块/可控硅？
【本文来源】：安科半导体
【本文作者】：安科半导体
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