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产品资料

TT430N22KOF

TT430N22KOF
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  • 产品名称:TT430N22KOF
  • 产品型号:TT430N22KOF
  • 产品展商:EUPEC、英飞凌
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简单介绍
TT430N22KOF是什么?TT430N22KOF是IGBT模块/可控硅?
产品描述

TT430N22KOF是什么?TT430N22KOF是IGBT模块/可控硅?是的代替型属于IGBT功率模块/IGBT智能模块,源产于德国西门子(SIEMENS)、英飞凌(Infineon)、优派克(eupec)

注:西门子(SIEMENS)、英飞凌(Infineon)、优派克(eupec)同属于西门子及子母公司

TT430N22KOF哪有**?TT430N22KOF质量怎么样?TT430N22KOF价格好吗?

infineon IGBT单管,EUPEC IGBT单管, 英飞陵IGBT单管, EUPEC IGBT单管,电磁炉用IGBT,IKP IGBT,IHW:

高频600V硬开关频率fK≤150KHZ;

快速1200V硬开关频率fK≤50KHZ;

低饱和压降600V硬开关频率fK≤50KHZ;

低饱和压降1200V硬开关频率fK≤20KHZ;

电子镇流器专用IGBT单管;

逆导型(RC)IGBT,适于电磁炉、微波炉、电饭锅、以及软开关、谐振回路;

公司推出冷mos管,它采用“超级结”(Super-Junction)结构,故又称超结功率MOSFET。工作电压600V~800V,通态电阻几乎降低了一个数量级,仍保持开关速度快的特点,是一种有发展前途的高频功率半导体电子器件。

  IGBT刚出现时,电压、电流额定值只有600V、25A。很长一段时间内,耐压水平限于1200V~1700V,经过长时间的探索研究和改进,现在IGBT的电压、电流额定值已分别达到3300V/1200A和4500V/1800A,高压IGBT单片耐压已达到6500V,一般IGBT的工作频率上限为20kHz~40kHz,基于穿通(PT)型结构应用新技术制造的IGBT,可工作于150kHz(硬开关)和300kHz(软开关)。

  IGBT的技术进展实际上是通态压降,快速开关和高耐压能力三者的折中。随着工艺和结构形式的不同,IGBT在20年历史发展进程中,有以下几种类型:穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、软穿通(SPT)型、沟漕型和电场截止(FS)型。

碳化硅Sic是功率半导体器件晶片的理想材料,其优点是:禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、PN结耐压高等,有利于制造出耐高温的高频大功率半导体电子元器件。

infineon模块/英飞凌IGBT/英飞凌二极管/英飞凌可控硅/英飞凌整流桥

>>1600/1700V > 单管(1单元)

产品型号 参数说明

FZ800R16KF4 800A , 1600V , IGBT2

FZ1200R16KF4 1200A , 1600V , IGBT2

FZ1800R16KF4 1800A , 1600V , IGBT2

BSM200GA170DLC 200A , 1700V , IGBT2

BSM300GA170DLC 300A , 1700V , IGBT2

BSM300GA170DN2 300A , 1700V , IGBT2

BSM400GA170DLC 400A , 1700V , IGBT2

FZ400R17KE3 400A , 1700V , IGBT3

FZ400R17KE4 400A , 1700V , IGBT4

FZ600R17KE3 600A , 1700V , IGBT3

FZ600R17KE3_S4 600A , 1700V , IGBT3

FZ600R17KE4 600A , 1700V , IGBT4

FZ800R17KF6C_B2 800A , 1700V , IGBT2

FZ1200R17KE3_B2 1200A , 1700V , IGBT3

FZ1200R17KE3 1200A , 1700V , IGBT3

FZ1200R17KF6C_B2 1200A , 1700V , IGBT2

FZ1200R17HP4_B2 1200A , 1700V , IGBT4

FZ1200R17HP4 1200A , 1700V , IGBT4

FZ1600R17KE3_B2 1600A , 1700V , IGBT3

FZ1600R17KE3 1600A , 1700V , IGBT3

FZ1600R17KF6C_B2 1600A , 1700V , IGBT2

FZ1600R17HP4_B2 1600A , 1700V , IGBT4

FZ1600R17HP4 1600A , 1700V , IGBT4

FZ1800R17KE3_B2 1800A , 1700V , IGBT3

FZ1800R17HP4_B9 1800A , 1700V , IGBT4

FZ1800R17HP4_B29 1800A , 1700V , IGBT4

FZ2400R17KE3 2400A , 1700V , IGBT3

FZ2400R17KE3_B2 2400A , 1700V , IGBT3

FZ2400R17KE3_B9 2400A , 1700V , IGBT3

FZ2400R17KF6C_B2 2400A , 1700V , IGBT2

FZ2400R17HP4 2400A , 1700V , IGBT4

FZ2400R17HP4_B2 2400A , 1700V , IGBT4

FZ2400R17HP4_B9 2400A , 1700V , IGBT4

FZ2400R17HP4_B29 2400A , 1700V , IGBT4

FZ3600R17KE3 3600A , 1700V , IGBT3

FZ3600R17HP4_B2 3600A , 1700V , IGBT4

FZ3600R17HP4 3600A , 1700V , IGBT4

infineon TT430N22KOF, eupec TT430N22KOF,

Eupec IGBT,SIEMENS TT430N22KOF,

SIEMENS IGBT,infineon IGBT, 

注:TT430N22KOF是什么?TT430N22KOF是IGBT模块/可控硅?

【本文来源】:安科半导体

【本文作者】:安科半导体

【关键字】:TT430N22KOF,infineon TT430N22KOF, eupec TT430N22KOF,SIEMENS TT430N22KOF,可控硅TT430N22KOF。

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