太赫兹光电导天线阵列 交叉指型光电导天线 微透镜阵列太赫兹天线 IPCA BATOP不仅提供单带隙天线，还包括整合了微透镜阵列的高能长狭缝交叉指型光电导天线。 产品特点： • 高太赫兹输出功率（*高可至280uW） • 大面积发射/探测 • 高的转换效率~ 10-4（100µW THz / 1 W optical power） （200uW THz / 3 W optical power） • 谱宽 0.1 – 4 THz • 封装有超半球Si透镜和SiO2透镜阵列 产品参数 型号 IPCA 21-05-300-800-h IPCA 21-05-1000-800-h IPCA 21-05-3000-800-h 激发功率 300-500 mW 0.5-3 W 3-10 W 转换效率 2 µW THz / 100 mW optical power 100 µW THz / 1 W optical power 太赫兹平均功率 10 µW @ 500 mW laser power 200 µW @ 3 W laser power 弛豫时间 200 fs 200 fs 200 fs 暗电阻 40 KΩ 40 KΩ 偏置电压 ±10V 至±15V ±10V 至±15V 15-25 V 激发区域 300um×300um 1mm×1mm 3mm×3mm 激发波长 800nm iPCA 工作原理 交叉指型光电导天线的电极被极大的延长，通过微透镜阵列几乎每个电极间隙都被飞秒激光聚焦激发。微透镜阵列的占空比为73.5%，这可以确保几乎所有的入射光能量都用来激发载流子的产生。尽管如此大的面积需要偏置电压，但是交叉指型微透镜阵列光电导天线需要的偏置电压可低至~15V，因为电极间距只有5um。相干激发每个电极后，每个微透镜聚焦点辐射出的太赫兹在远场干涉叠加，发射出强太赫兹辐射。激光束必须准确的调准照射在每个电极中间才能使得交叉指型微透镜阵列天线激发出*优化的THz信号。 封装: iPCA 芯片尺寸 4 mm x 4 mm,厚度 625µm, 封装在一个25.4mm直径的铝制夹具上。背面封装有12mm直径的高阻硅半球透镜，天线正面封装着预校准的石英微透镜阵列，尺寸2×2mm。天线带有1m长的同轴电缆BNC或SMA接头类型可选。
BATOP不仅提供单带隙天线，还包括整合了微透镜阵列的高能长狭缝交叉指型光电导天线。
产品特点：
• 高太赫兹输出功率（*高可至280uW）
• 大面积发射/探测
• 高的转换效率~ 10-4（100µW THz / 1 W optical power）
（200uW THz / 3 W optical power）
• 谱宽 0.1 – 4 THz
• 封装有超半球Si透镜和SiO2透镜阵列
产品参数
IPCA 21-05-300-800-h
交叉指型光电导天线的电极被极大的延长，通过微透镜阵列几乎每个电极间隙都被飞秒激光聚焦激发。微透镜阵列的占空比为73.5%，这可以确保几乎所有的入射光能量都用来激发载流子的产生。尽管如此大的面积需要偏置电压，但是交叉指型微透镜阵列光电导天线需要的偏置电压可低至~15V，因为电极间距只有5um。相干激发每个电极后，每个微透镜聚焦点辐射出的太赫兹在远场干涉叠加，发射出强太赫兹辐射。激光束必须准确的调准照射在每个电极中间才能使得交叉指型微透镜阵列天线激发出*优化的THz信号。
iPCA 芯片尺寸 4 mm x 4 mm,厚度 625µm, 封装在一个25.4mm直径的铝制夹具上。背面封装有12mm直径的高阻硅半球透镜，天线正面封装着预校准的石英微透镜阵列，尺寸2×2mm。天线带有1m长的同轴电缆BNC或SMA接头类型可选。