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产品资料

ULVAC单晶片等离子CVD设备(重庆内藤)

ULVAC单晶片等离子CVD设备(重庆内藤)
  • 如果您对该产品感兴趣的话,可以
  • 产品名称:ULVAC单晶片等离子CVD设备(重庆内藤)
  • 产品型号:CMD-1800
  • 产品展商:ULVAC爱发科
  • 产品文档:无相关文档
简单介绍
通过为每个单元开发可以在比常规过程温度更高的温度下运行的驱动系统和真空传输机器人,已经实现了稳定的传输系统。 ULVAC爱发科间歇式溅射设备(重庆内藤) ULVAC爱发科间歇式溅射设备(重庆内藤) ULVAC爱发科间歇式溅射设备(重庆内藤)
产品描述

特征

  • 通过为每个单元开发可以在比常规过程温度更高的温度下运行的驱动系统和真空传输机器人,已经实现了稳定的传输系统。
  • 通过改善反应室和气体供应系统内部的结构,可以获得TEOS(SiO 2)膜的长期稳定速率。
  • 通过加热反应气体路径,可以将气体排出到排除的设备,并且可以在不使用管道疏水阀的情况下抑制副产物对管道等的附着,并且可以缩短维护时间。 。
  • 可以容易地进行诸如成膜条件的单独基板管理。

采用

  • 低温P-Si,α-SiTFT

规范

CMD-450BHT CMD-650HT CMD-950 CMD-1500 CMD-1800
板子尺寸(mm) 400 x 500 x t0.7 600 x 720 x t0.7 730 x 920 x t0.7〜0.5 1300 x 1500 x t0.7-0.4 1500 x 1800 x t0.7〜0.4
房间组成 1)准备/撤离室 2间
房间组成 2)暖气室 1间
3)反应室 4个房间如果有退火房间则为3个房间) 5个房间如果有退火房间则为4个房间)
4)运输室 1个房间(七边形) 1个房间(八角形) 1个房间(七边形)
5)真空排气系统
/准备室
/取出室/反应室
旋转+机干+机干 干+麦加布
6)移板机 选项
生产 65秒/张
(我们的标准条件SiN 300nm单层)
75秒/张
(我们的标准条件
SiN 300nm单层)
不带加热室:65秒/张带
加热室:90秒/张
(我们的标准条件为SiN 300nm单层)
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