控制： PC控制（Lab View） 腔： 13寸铝质 基座托： 13℃水冷 -120℃低温制冷 气体供应：喷头，MFC，SS管路 气体环 等离子源：RF平板，P-100空阴极，感应耦合等离子源（ICP) 直流偏压：-500V自偏压、-1000V偏压 基本真空 E-6Torr－E-7Torr 工艺压力 0.02-8Torr、0.001Torr以上 射频电源 600W,1000W，2000W选项 真空泵 200L/sec耐腐蚀涡轮泵、500L/sec耐腐蚀涡轮泵 电源 110/220V 三相电，40/20A
1. *高700W的高密度等离子源进行各向同性蚀刻(isotropic etching)； 2. ICP等离子源，2KW射频电源及调谐器； 3. 低温基底冷却(Cryogenic substrate cooling)； 4. 终点探测(End point detection) ; 5. 兰缪尔探针； 6. 静电卡盘(Electrostatic chuck)； 7. 附加MFC’s； 8. 1KW射频电流源及调谐器； 9. 低频电流源及调谐器； 10.装载锁(Load lock)
RE系列反应离子蚀刻系统带有淋浴头式样的气体分配系统及水冷射频压盘，柜体为不锈钢材质。反应腔体为13英寸铝制、从顶端打开方便晶片装载取出，*大可进行8英寸直径样品实验，带有两个舱门：一个舱门带有2英寸视窗，另一个舱门用于终点探测及其他诊断。腔体可达到10-6 Torr压力或更高，自直流偏置连续监控、*大可达到500伏偏电压(各向异性蚀刻)。该反应离子蚀刻系统为完全由计算机控制的全自动设备。 DR系列深反应离子蚀刻系统带有低温晶片冷却及偏置压盘，设备使用2kw 8英寸ICP源，使用500L/秒的涡轮泵，在10-3Torr压力范围运行。