GE DRUCK德鲁克RPS8000/RPS8100/DPS8000/DPS8200高精度硅谐振压力传感器
GE DRUCK德鲁克RPS8000/RPS8100/DPS8000/DPS8200高精度硅谐振压力传感器采用世界zui前沿的TERPS技术而研发出的ZUI新产品,是沟槽刻蚀TERPS硅谐振压力传感器技术.与现有的压力测量技术相比,它可提供更高等级的精度和长期稳定性。沟槽刻蚀TERPS硅谐振压力传感器技术还将压力量程扩展到更高的范围,并通过引入真正的介质隔离结构极大程度地提高了传感器对恶劣环境的适用性。GE DRUCK德鲁克RPS8000/RPS8100/DPS8000/DPS8200高精度硅谐振压力传感器提高压力测量精度 。RPS8000为方形波频率输出,DPS8000为RS232或者RS485数字输出。
GE DRUCK德鲁克RPS8000/RPS8100/DPS8000/DPS8200高精度硅谐振压力传感器利用全新的TERPS技术进行设计
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高精度,±0.01%
FS(在补偿温度范围内)
•高度稳定,±100 ppm FS/年
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压力范围从2
bar(30
psi)至
70 bar(1000
psi)
•温度范围宽, -40 °C 至+85 °C(-40 °F至185 °F)
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采用介质隔离结构,适用于恶劣环境
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多输出配置,频率TTL和二极管,RS232和RS485数字量
当开发这种新的TERPS技术时,我们主要是为了提供一种具有*高精度和稳定性的传感器,可以用于较大的压力和温度范围;并且具有坚固、可靠的包装,可用于恶劣环境。
GE DRUCK德鲁克RPS8000/RPS8100/DPS8000/DPS8200高精度硅谐振压力传感器高精度和稳定性
用硅改善性能:
我们在制造TERPS谐振器元件时充分利用了硅的力学性能。
为了优化和平衡谐振器的设计,我们采用了深度反应离子刻蚀(DRIE)硅技工技术。 DRIE可以设计具有复杂和多变几何形状的结构。
精度为0.01% FS(100 ppm)
稳定性为0.01% FS/年(100 ppm)
GE DRUCK德鲁克RPS8000/RPS8100/DPS8000/DPS8200高精度硅谐振压力传感器性能指标:
性能指标有两个等级可选:标准级和提上等。
以下精度指标包含非线性、迟滞、重复性的综合影响以及全补偿温度范围内的温度影响。
选型代码精度准确度(GE数字式压力传感器RPS8000/DPS8000系列)
A1-标准级 精度:0.02%FS 准确度:0.0225%FS
A2-提上等 精度:0.01%FS 准确度: 0.0144%FS
对于频率输出模式,上述精度可通过根据随传感器提供的多项式曲线拟和算法及相应系数计算得到。
补偿温度范围:两种补偿温度范围可选:-10°C - 50°C和-40°C - 85°C、温度影响:所有温度影响已包含在精度指标内、长期稳定性:标准级:±0.02%FS/年、提上等:±0.01%FS/年。
注:除非另有说明,上述技术指标均在参考条件下获得:25°C±5°C
GE DRUCK德鲁克RPS8000/RPS8100/DPS8000/DPS8200高精度硅谐振压力传感器测量指标:
压力量程
RPS8000|DPS8000系列:200kPa, 700kPa, 1.4MPa, 2MPa, 3.5MPa, 7MPa, 20MPa绝压用户可选校验量程为0~100kPa至0~7MPa绝压之间任意意选择,*大20MPa
RPS8100|DPS8100系列:200kPa, 350kPa绝压,用户可选校验量程为3.5kPa~350kPa 绝压;3.5kPa~200kPa 绝压;75kPa~115kPa 大气压;0~100kPa至0~350kPa绝压之间任意选择。
RPS8200/DPS8200/RPS8300/DPS8300系列:200kPa,
700kPa, 1.4MPa, 2MPa, 3.5MPa, 7MPa, 20MPa绝压
*大过压
DPS8000/DPS8200/DPS8300/RPS8000/RPS8200/RPS8300 1.5xFS
DPS8100/RPS8100 2xFS
*大破坏压力(DPS8000/DPS8200/DPS8300/(RPS8000/RPS8200/RPS8300) 2.0xFS
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