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日本ENGIS化合物半导体材料研磨机单面减薄机InP GaAs
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日本ENGIS化合物半导体材料研磨机单面减薄机InP GaAs
产品资料
日本ENGIS化合物半导体材料研磨机单面减薄机InP GaAs
如果您对该产品感兴趣的话,可以
产品名称:
日本ENGIS化合物半导体材料研磨机单面减薄机InP GaAs
产品型号:
EJW-400IFN
产品展商:
日本ENGIS
产品文档:
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简单介绍
可用于2寸3寸4寸InP GaAs GaN 所属系列:半导体加工设备-减薄抛光设备-研磨机 操作界面人性化,人机交流非常简易 使用大粒径研磨液将Wafer快速减薄 可以**控制Wafer目标厚度,将Wafer减薄至接近目标厚度时,借助厚度控制夹具Wafer将悬空丌再被研磨,可以双头、单片、多片加工,适合研发、量产,可兼容多尺寸Wafer
产品描述
品牌:engis型号:
可用于2寸3寸4寸InP GaAs GaN
所属系列:半导体加工设备-减薄抛光设备-研磨机
操作界面人性化,人机交流非常简易
使用大粒径研磨液将Wafer快速减薄
可以**控制Wafer目标厚度,将Wafer减薄至接近目标厚度时,借助厚度控制夹具Wafer将悬空丌再被研磨,可以双头、单片、多片加工,适合研发、量产,可兼容多尺寸Wafer
设备的设计理念及特征
搭载开槽装置的超高精密研磨设备EJW-400IFN 是采用高刚性机体和独自开发的水冷式主
轴,经常保持一定的定盘温度,并且可以在超低震动状态下高精度旋转。另外,由于采用
高精度的开槽装置,设备可以经常维持稳定高精度的定盘平坦度进行加工。
主要规格:
1-1研磨设备
设备型号EJW-400IFN
研磨盘直径外径φ380mm;内径φ140mm
定盘转速10~350rpm 可调(软起动/停机)
主电机200V 1.5Kw 3相
加压方式自重加压
工件固定方式通过使用陶瓷修正轮用滚轴手臂固定
主轴部分高刚性水冷主轴
尺寸940mm×1600mm×1460mmH*含防尘盖高度
重量1000Kg(NET)
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