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产品资料

日本ENGIS化合物半导体材料研磨机单面减薄机InP GaAs

日本ENGIS化合物半导体材料研磨机单面减薄机InP GaAs
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  • 产品名称:日本ENGIS化合物半导体材料研磨机单面减薄机InP GaAs
  • 产品型号:EJW-400IFN
  • 产品展商:日本ENGIS
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简单介绍
可用于2寸3寸4寸InP GaAs GaN 所属系列:半导体加工设备-减薄抛光设备-研磨机 操作界面人性化,人机交流非常简易 使用大粒径研磨液将Wafer快速减薄 可以**控制Wafer目标厚度,将Wafer减薄至接近目标厚度时,借助厚度控制夹具Wafer将悬空丌再被研磨,可以双头、单片、多片加工,适合研发、量产,可兼容多尺寸Wafer
产品描述
品牌:engis型号: 

可用于2寸3寸4寸InP GaAs GaN 

所属系列:半导体加工设备-减薄抛光设备-研磨机 

操作界面人性化,人机交流非常简易 

使用大粒径研磨液将Wafer快速减薄 

可以**控制Wafer目标厚度,将Wafer减薄至接近目标厚度时,借助厚度控制夹具Wafer将悬空丌再被研磨,可以双头、单片、多片加工,适合研发、量产,可兼容多尺寸Wafer 

设备的设计理念及特征 

搭载开槽装置的超高精密研磨设备EJW-400IFN 是采用高刚性机体和独自开发的水冷式主 

轴,经常保持一定的定盘温度,并且可以在超低震动状态下高精度旋转。另外,由于采用 

高精度的开槽装置,设备可以经常维持稳定高精度的定盘平坦度进行加工。 

主要规格: 

1-1研磨设备 

设备型号EJW-400IFN 

研磨盘直径外径φ380mm;内径φ140mm 

定盘转速10~350rpm 可调(软起动/停机) 

主电机200V 1.5Kw 3相 

加压方式自重加压 

工件固定方式通过使用陶瓷修正轮用滚轴手臂固定 

主轴部分高刚性水冷主轴 

尺寸940mm×1600mm×1460mmH*含防尘盖高度 

重量1000Kg(NET)
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